序号 | 类型 | 品牌 | 型号 | 价格 | 库存 | 更新时间 | 库存电子柜台 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | DDR2 | 现代 | 1G/667 | 65.00 | 30000 | 2009-04-01 | 北京华能科技 |
2 | DRAM | 韩国现代原厂 | NB DDR2-1G-667MHZ | 70.00 | 2000 | 2009-04-01 | 北京风行世纪 |
3 | DDR1 | 奇梦达 | 512/333 | 85.00 | 10000 | 2009-04-01 | 北京华能科技 |
4 | DRAM | 南亚 | 667-2G DDR2 | 130.00 | 500 | 2009-03-31 | 飞扬世纪科技发展有限公司 |
5 | DRAM | 南亚 | 667-1GB DDR2 | 70.00 | 300 | 2009-03-31 | 飞扬世纪科技发展有限公司 |
6 | DDR2 | HY | 2G-667 | 125.00 | 500 | 2009-03-31 | 飞扬世纪科技发展有限公司 |
7 | DDR2 | HY | 1GB-667 | 65.00 | 500 | 2009-03-31 | 飞扬世纪科技发展有限公司 |
8 | DDR2 | 金士顿 | DDRII800/台试机内存/4G | 1500.00 | 10 | 2009-03-29 | 源远科技-金士顿销售平台(原装行货) |
9 | DRAM | 金士顿 | DDR3 1333/台试机内存/1G | 117.00 | 150 | 2009-03-29 | 源远科技-金士顿销售平台(原装行货) |
10 | DRAM | 金士顿 | DDR3 1333/台试机内存/2G | 195.00 | 100 | 2009-03-29 | 源远科技-金士顿销售平台(原装行货) |
11 | DDR1 | 英飞凌原厂 | DDR266 ECC REG 1G | 120.00 | 200 | 2009-03-25 | 上海奥陶电子科技有限公司 |
12 | DDR1 | 金邦 | 512/400 | 110.00 | 5000 | 2009-03-21 | 海阳科技有限公司 |
13 | DDR1 | HY | 笔记本512/333 | 85.00 | 200 | 2009-03-20 | 深圳市创拓科技有限公司 |
14 | DDR2 | kinghorse | 1G | 110.00 | 3000 | 2009-03-12 | 北京天正至远科技有限公司 |
15 | 三极管Transistors | 高压场效应 | 20N60 | 1.60 | 5000 | 2009-03-05 | 通逹電子有限公司 |
16 | 三极管Transistors | 高压场效应 | 15N60 | 1.55 | 5000 | 2009-03-05 | 通逹電子有限公司 |
17 | 三极管Transistors | 高压场效应 | 13N60 | 1.50 | 5000 | 2009-03-05 | 通逹電子有限公司 |
18 | 三极管Transistors | 高压场效应 | 12N60 | 1.50 | 5000 | 2009-03-05 | 通逹電子有限公司 |
19 | 三极管Transistors | 高压场效应 | 11N60 | 1.45 | 5000 | 2009-03-05 | 通逹電子有限公司 |
20 | 三极管Transistors | 高压场效应 | 10N60 | 1.40 | 5000 | 2009-03-05 | 通逹電子有限公司 |
21 | 三极管Transistors | 高压场效应 | 9N60 | 1.35 | 5000 | 2009-03-05 | 通逹電子有限公司 |
22 | 三极管Transistors | 高压场效应 | 8N60 | 1.30 | 5000 | 2009-03-05 | 通逹電子有限公司 |
23 | 三极管Transistors | 高压场效应 | 7N60 | 1.20 | 5000 | 2009-03-05 | 通逹電子有限公司 |
24 | 三极管Transistors | 高压场效应 | 6N60 | 1.10 | 5000 | 2009-03-05 | 通逹電子有限公司 |
25 | 三极管Transistors | 高压场效应 | 2SK2645 | 1.65 | 5000 | 2009-03-05 | 通逹電子有限公司 |
26 | 三极管Transistors | 高压场效应 | 2SK2761 | 1.50 | 5000 | 2009-03-05 | 通逹電子有限公司 |
27 | 三极管Transistors | 高压场效应 | 2SK1507 | 1.50 | 5000 | 2009-03-05 | 通逹電子有限公司 |
28 | 三极管Transistors | 高压场效应 | 2SK2996 | 1.50 | 5000 | 2009-03-05 | 通逹電子有限公司 |
29 | 三极管Transistors | 高压场效应 | 2SK2843 | 1.50 | 5000 | 2009-03-05 | 通逹電子有限公司 |
30 | Flash | SAMSUNG | K9WAG08U1A-PCB0 | 0.00 | 10000 | 2009-03-04 | 香港领峰电子(NEXTRON)深圳办事处 |
31 | Flash | SAMSUNG | K4S511632D-UC75 | 0.00 | 10000 | 2009-03-04 | 香港领峰电子(NEXTRON)深圳办事处 |
32 | SDRAM | SAMSUNG | K4S561632H-UC75 | 0.00 | 10000 | 2009-03-04 | 香港领峰电子(NEXTRON)深圳办事处 |
33 | Flash | SAMSUNG | K9F4G08U0A-PCB0 | 0.00 | 6000 | 2009-03-04 | 香港领峰电子(NEXTRON)深圳办事处 |
34 | SDRAM | SAMSUNG | K4S280832I-UC75 | 0.00 | 30000 | 2009-03-04 | 香港领峰电子(NEXTRON)深圳办事处 |
35 | Flash | SAMSUNG | K9F2G08U0A-PCB0 | 0.00 | 10000 | 2009-03-04 | 香港领峰电子(NEXTRON)深圳办事处 |
36 | SDRAM | SAMSUNG | K4S281632I-UC75T | 0.00 | 20000 | 2009-03-04 | 香港领峰电子(NEXTRON)深圳办事处 |
37 | DDR2 | 南亚 | 1g667 | 92.00 | 260 | 2009-03-01 | 深圳风云电子科技 |
38 | DDR2 | 南亚 | 2G800 | 95.00 | 138 | 2009-03-01 | 深圳风云电子科技 |
39 | DDR2 | 威刚 | 2G800 | 102.00 | 1000 | 2009-03-01 | 深圳风云电子科技 |
40 | DDR2 | 现代 | 2GB DDRII667 | 130.00 | 500 | 2009-02-24 | 深圳市泽志电子科技有限公司 |
41 | 芯片 | LSFW | PB375 | 25.00 | 100000 | 2009-02-21 | 深圳蓝色飞舞科技有限公司 |
42 | DRAM | 三星原厂 | NB DDR2 2G 800 | 158.00 | 200 | 2009-02-10 | 深圳亿丰电子科技有限公司 |
43 | DDR2 | 现代 | 服务器内存条 FBD 2GB | 300.00 | 10000 | 2009-02-03 | Shenzhen XuanLang technology co.,LTD |
44 | DDR2 | KINGSTON | DDR2 800 2GB | 115.00 | 500 | 2009-02-03 | Shenzhen XuanLang technology co.,LTD |
45 | DDR2 | KINGSTON | DDR2 667 2GB | 102.00 | 1000 | 2009-02-03 | Shenzhen XuanLang technology co.,LTD |
46 | DDR2 | 镁光 | 服务器 FB 667 1G | 170.00 | 300 | 2009-02-02 | 上海奥陶电子科技有限公司 |
47 | IC集成电路 | 邑福eU201 超棒 PCBA | 2802 AT | 7.50 | 5000 | 2009-01-16 | 深圳市长宽科技有限公司 |
48 | IC集成电路 | 邑福 eU201 U盘 万用单贴PCBA | eU201 AT(单贴) | 4.20 | 500000 | 2009-01-16 | 深圳市长宽科技有限公司 |
49 | IC集成电路 | 邑福eU201 U盘 万用双贴PCBA | eU201 AT (PN201) | 6.00 | 100000 | 2009-01-16 | 深圳市长宽科技有限公司 |
50 | IC集成电路 | 台湾邑福 eU201 U盘主控芯片 | eU201 AT | 2.70 | 100000 | 2009-01-16 | 深圳市长宽科技有限公司 |