DRAM制程技术

DRAM制程技术

 
DRAM制程竞赛持续，三星电子(Samsung Electronics)每每领先同业1个世代，三星在2011年的主流量产制程已是40奈米，目前逐渐转换至转进35奈米，预计第2季末35奈米制程将达30%，年底将达50%，持续增加成本竞争优势。

海力士(Hynix)2011年也要转入 38奈米制程，且同时导入6F2设计架构，预估38奈米制程在2011年底贡献产出的比例不高。

而在台厂方面，瑞晶已在2010年底将旗下12寸晶圆产能转进45奈米制程，速度是台厂之冠，预计38奈米制程将于6月量产，年底可达总投片产能的50%；南亚科和华亚科目前制程技术以42奈米为主，预计下半年试产30奈米制程。

由于DRAM制程微缩难度越来越高，40奈米问题已逐渐浮现，未来30奈米甚至是20奈米制程良率势必也会面临挑战；再者，因应制程微缩需要的机台设备价格也大幅拉高，不是每1家DRAM厂都负担得起，但这也象征DRAM厂每年的位元成长率(Bit Growth)会趋缓，有助于价格稳定。