DRAM封测价 无下跌空间

DRAM封测价 无下跌空间

　　由于DRAM厂新制程转换速度加快，7月以来DRAM产出量明显放大，虽然价格持续缓跌，但对后段封测厂来说，订单仍然持续涌入，包括力成（6239）、华东（8110）、福懋科（8131）、泰林（5466）等业者均表示，订单能见度已达年底，产能供不应求情况在年底前也难获得纾解，将有助于平均价格（ASP）持稳，降低DRAM价格波动造成的负面影响。

　虽然计算机业者出货量维持高档，第3季又是计算机销售旺季，理论上DRAM价格应有上涨空间，DRAM价格虽自4月后开始走跌，但2GB DDR2模块仍维持40美元价格，2GB DDR3价格约达45美元，占计算机成本仍在8％至10％高档，所以在ODM/OEM厂将计算机搭载率由4GB降至2GB情况下，导致第3季DRAM价格难有起色。

　对DRAM厂来说，转进50纳米世代先进制程后，1Gb DDR3颗粒总制造成本可降至接近1.2美元左右，若以现在平均2.2-2.4美元价格来计算，每卖出一颗就可赚进约1美元的获利。所以，DRAM厂第2季加速50纳米制程微缩，第3季产能开出后，虽对现货价造成跌价压力，但因产出量放大，反而有助于封测厂接单。

　业者表示，以60纳米制程生产出的1Gb DDR3颗粒数约介于910-950颗，但若微缩到50纳米后，每片12寸晶圆可切割的颗粒数可达1,400-1,700颗，位元成长率高达50％至70％，所以对以量计价的封测厂来说是项利多消息。再者，50纳米投产初期，测试时间需要拉长，虽然随著良率提升后，测试时间会开始下滑，但下滑时间点最快也要在今年第4季中下旬才会见到，因此封测厂现在正面临产能不足压力。

　包括力成、华东、福懋科等业者来说，因为DRAM厂今年扩产积极，订单已经看到年底，而封测设备交期仍维持在3-4个月，下半年能够增加的产能，仍追不上DRAM厂的位元成长速度。业者表示，下半年DRAM封测产能仍供不应求，所以封测代工价格虽无上涨空间，但也没有下跌空间，随著产能持续扩大，对提升毛利率仍有明显帮助。