厂商转换先进制程　DRAM市场恐供过于求

厂商转换先进制程　DRAM市场恐供过于求

2008年下半受金融海啸冲击，除三星电子(Samsung Electronics)外，全球主要 DRAM 厂商皆发生钜额亏损，为保有手中资金，各 DRAM 厂商先后采取减产、裁员、关闭不具效益厂房等策略，此举亦让自2006年以来全球 DRAM 产业扩厂竞赛划下句点。

正因产能扩充有限，并伴随2009年第一季全球景气见到最低点且逐季好转，全球 DRAM 需求量亦同步扩张，使得长年下跌的 DRAM 报价亦在2009年得以止跌回升。于此同时，全球DRAM市场的另一件大事则为 DDR2 与 DDR3 的世代交替。柴焕欣说明，事实上，早在2007年三星就采70奈米制程生产 DDR3 ，但当时全球DRAM市场陷入供过于求阴霾中，刚问世的DDR3价格自然不具竞争力，市场渗透率始终无法突破5%。

但在2009年三星率先跨入5x奈米世代制程后，成本竞争力大幅提升，使得DDR3价格开始向DDR2靠拢，甚至低于DDR2，加速DDR3在PC市场渗透率，2010年第二季时，DDR3占DRAM市场出货比重已达51%，稳居市场主流地位。

展望2010年下半，柴焕欣认为，受欧债风暴冲击，为全球经济加入不确定因子，加上以南韩为首的DRAM厂商先进制程转换所增加的产能将大量开出，亦为全球DRAM市场蒙上一层供过于求的阴影。2009年以来DRAM市场荣景是否得以延续，或是将进入另一波衰退的景气循环，2010年下半将是重要观察点。

什么是DRAM？
动态随机存取记忆体(Dynamic Random Access Memory，DRAM)属于一种挥发性记忆体(volatile memory)，主要的作用原理是利用电容内储存电荷的多寡来代表一个二进位位元(bit)是1还是0。由于在现实中电容会有漏电的现象，导致电位差不足而使记忆消失，因此除非电容经常周期性地充电，否则无法确保记忆长存。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”记忆体。相对来说，“静态”记忆体(SRAM)只要存入资料后，纵使不刷新也不会遗失记忆。 DRAM的记忆单元与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单，每一个位元的资料都只需一个电容跟一个电晶体来处理，相比之下在SRAM上一个位元通常需要六个电晶体。因此，DRAM拥有高密度，低成本的优点，但是它也有存取速度较慢，耗电量较大的缺点。