力成:走向全方位；看好Mobile DRAM

力成：走向全方位；看好Mobile DRAM强劲需求

力成(6239)近年来除了深耕记忆体封测市场之外，也将触角延伸到逻辑IC等其他不同型态封装产品。力成董事长蔡笃恭说，现在的力成可以说是具备所有型态的封装技术，在全球来说算是少数拥有全方位封装技术的IC封测厂，接下来还将投资火力集中在3D IC身上，除将会成立专责研发基地之外，明后年更将会设立生产线，希望未来在3D IC封装领域成为领导厂商。

蔡笃恭表示，封装产业在未来几年将出现革命性的改变，为了因应技术潮流，力成也必须进行改变，尤其在封装技术上面，日前宣布与尔必达、联电(2303)宣布共同投入3D IC技术研发，在国际知名度大为提升，也藉此机会正式对外宣示力成拥有其技术能力。

蔡笃恭说，接下来将计画投入3000万美元致力3D IC的研发，并预计2011、2012年期间完成制程并且进入量产，希望未来3D IC可以带来新的成长动能，也期许力成可以在3D IC封装领域成为领导厂商。

力成调高今年资本支出逾30%，市场也关心明年资本支出的情况。蔡笃恭指出，明后年的资本支出的金额可以维持90亿元的水准，封装技术将会是主要的投资重心，至于传统式的封装产能将不会过度扩充，会以追求稳健成长为原则。

至于市场转进铜线制程的问题，蔡笃恭表示，导入铜制程必须大量添购打线机，不过所幸公司本身的产品线并无转换铜线制程的急迫性，而且铜线制程只是造就成本降低，同时也会引发价格战，力成将不需要在这个战场上厮杀。

对于记忆体市场的看法，蔡笃恭说，现在市场对于DRAM价格以及供需情况出现疑虑，不过个人的看法有点不太一样，最近在智慧型手机、iPad平板电脑等产品激励下，对于Mobile DRAM的需求相当强劲，同时从尔必达端也了解到，市场对于Mobile DRAM的需求非常热络，激励尔必达更加积极布局提升产能，预料未来Mobile DRAM的成长将会远超乎市场预期。

蔡笃恭表示，Mobile DRAM的强劲成长将可以弥补需求疲软的PC用DRAM市场，尤其现在不少DRAM业者希望转进40奈米制程，将容量拉升到2Gb以因应Mobile DRAM的需求成长。

另外，蔡笃恭认为，在高阶DRAM市场部分，需求也依旧强劲，加上各家DRAM厂现在对于扩产较为保守，亦会避免恶性杀价竞争，整体而言，DRAM产业并没有这么悲观，未来几年仍有很不错的表现。

蔡笃恭进一步说明，Mobile DRAM的封装结构与标准型记忆体截然不同，大多是以堆叠的方式封装（POP，Package on package），其封装与测试的时间都较长，单价较高，竞争压力也比较小，未来随着Mobile DRAM快速成长，将可因此降低对标准型DRAM的依赖程度。

关于Mobile DRAM目前的出货情况，蔡笃恭指出，Mobile DRAM采用POP封装，现在一个月的出货量为400万颗，预计到今年底将会倍增至800万颗，明年第一季，更将会成长至1000-1200万颗，而若以目前Single chip单晶片封装的月产能达2.5亿-3亿颗（包含代工厂沛顿产能）来计算，Mobile DRAM占的比重约7%，而尔必达则是希望未来Mobile DRAM可以占全球DRAM市场的15%。

至于NAND Flash快闪记忆体市场，蔡笃恭坦言，未来预料将会走向两极化，一般的记忆卡部份，都是以价取胜，不会是很健康的市场，不过因智慧型手机、平板电脑、SSD等产品鼓舞，反而推升高阶Flash市场需求。