克服低耐用度障碍MLC Flash向CE市场进军

克服低耐用度障碍MLC NAND Flash向CE市场进军 

随着数位影音与网路资讯的迅速发展，使用者对储存容量与读写速度需求亦与日俱增。若按储存装置区分，传统硬碟(Hard Disk Drive；HDD)在储存容量与单位成本具有优势，而固态硬碟(Solid State Drive；SSD)则在读写速度与节能省电方面胜出。
随NAND Flash制程与规格技术不断演进，效能方面表现突出的SSD亦得以持续拉近与HDD的成本效益差距，然而，就在SSD朝向拉近与HDD储存容量与单位成本差异方向发展，获致储存容量提升与单位成本下滑的同时，晶片读写耐用度下滑的问题亦随之浮现。
NAND Flash应用领域可大致区分为企业商用、电脑行动、消费性电子等3大应用领域，基于各种应用领域对装置在耐用度与可靠度上的基本要求，其中，企业商用领域对终端产品的耐用度与可靠度十分重视，而在电脑行动、消费性电子等2大应用领域里，价格仍为业者首要考量。
SSD产业链由上游至下游大致可以区分为NAND Flash业者、SSD控制IC (SSD Controller)业者、SSD品牌业者。 NAND Flash业者目前以三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)为2大领先集团，SSD控制IC业者则以迈威尔(Marvell)、SandForce、Indilinx、智微(JMicron)为代表性业者，至于SSD品牌业者则由STEC、三星、英特尔(Intel)暂居领先地位。
随NAND Flash制程规格持续演进，晶片读写耐用度下滑将是成本考量下必须面对的重要课题，与控制IC业者间的合作关系愈形重要，透过区块平均抹写、故障区块管理、 ECC错误修正等演算法则，得以在晶片耐用度与可靠度下滑趋势中扮演强化SSD的关键角色，亦为进军电脑行动与消费性电子应用的决胜关键。