2010年2Q NAND Flash产业排名

2010年2Q NAND Flash产业排名

2010年第2季NAND Flash产业排名中，三星电子(Samsung Electronics)仍以40.4%市占率蝉联龙头，并重回40%市占率大关，紧追在后的东芝(Toshiba)市占率达33.1%，此两家大厂合计囊括全球70%以上市占率，双方都有扩产计画，东芝和合作伙伴美系快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk)合资新建全新的NAND Flash厂房Fab 5，期望全球市占率能再度逼近三星。

三星和东芝除了市占率、扩产进度比拼得凶外，双方2010年的X3(3-bit-per-cell)架构的TLC晶片比重也大幅，对整个NAND Flash市场投下不小震撼弹，主要TLC晶片货源都流往现货市场，导致现货价格持续受到压抑。

美光(Micron)自从在海力士(Hynix)手上抢下全球NAND Flash三哥宝座后，与海力士之间的市占率越拉越大，2010年第2季市占率达12%，海力士(Hynix)则为8.3%，市占率位居第4，而英特尔(Intel)则以6.3%市占率位居第5。

美光的急起直追，除了是海力士八寸晶圆厂退役，以及之前制程进度落后之外，美光和英特尔联手后，制程技术上持续进步，一路从34奈米制程领先后，25奈米再度领先量产，也使得美光的全球市占率节节攀升，延宕已久的新加坡新厂传出也会在年底前宣布动土。