现货价暴涨，DDR3 2Gb站上1美元大关

DRAM现货价 暴涨

    　DRAM现货价格持续大涨，DDR3 2Gb　eTT现货价昨（19）日大涨6.91％，顺利站上1美元大关，涨势引发市况好转的联想。南科副总经理白培霖表示，返校需求没有预期差，加上大陆十一长假的备料需求，推估通路库存大约剩下2至3周，比起7月中旬1个月以上的库存来看，价格压力可望纾缓。

    　DRAM现货价格连番上涨，拉近合约价与现货价价差，以DDR3 2Gb品牌颗粒来看，双方价差缩小至3.54％，而DDR3 2Gb有效测试颗粒（eTT）价格为昨日现货价的上涨主力，单日涨幅达6.91％，使其均价站上1.04美元，从上月23日的每颗0.78美元起算，累计涨幅已经高达33％。

    　现货价为DRAM产业的景气领先指标，近期价格呈现飙涨走势，引起市况反转的联想。

    　南科副总经理白培霖表示，现货价先前呈现走跌，造成买盘不敢进场，一旦价格止跌回升，买盘就会进场抢货。从南科的客户端来看，DRAM需求还不错，但是要扩大解释整体的终端需求回升也未必，可以确定的是，通路库存正逐步消化中。

    　白培霖预估，目前通路库存水位约2至3周，比起7月中旬1个月以上，已经明显消化，白培霖也表示，由于返校需求没有预期中差，加上十一长假会带动提前备料的需求，这两项指标可视为观察库存消化、进一步推升终端需求的关键。

    　DRAM厂先前受到价格暴跌冲击，标准型DRAM厂第3季包含瑞晶在内，恐将全数缴出亏损财报，南科因第2季底的每股净值已经跌至3.59元，有二度减资压力，南科董事会还未讨论过此问题，至于在资本支出方面，南科今年大部分的投资已经支出完毕，因此今年度120亿元的资本支出目标下修压力并不大。