Ultrabook的DRAM模组
* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2011-09-20
Ultrabook的DRAM模组
英特尔(Intel)领军的Ultrabook,会影响2项记忆体未来的发展趋势,一是固态硬碟(SSD)将取代传统硬碟,对于NAND Flash产业是一大利多,而且所用的SSD都是大容量起跳,这方面商机可以从三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)/英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)/新帝(SanDisk)等3大NAND Flash大厂,积极盖12吋晶圆厂扩充产能的趋势可以看出来。
另一方面,Ultrabook中采用的DRAM晶片会直接焊在板子上,多数机种都不会预留DRAM模组的插槽可供消费者升级,这点不利于记忆体模组厂未来在零售通路市场的发展;但对于上游DRAM供应商而言,Ultrabook直接把DRAM需求由2GB升级到4GB,也算是一大利多,只是上下游态度将不同调。
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