DRAM现货价续涨,有利合约价向上
* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2011-09-20
DRAM现货价续涨,有利合约价向上
因台日系DRAM厂减产以及预期旺季需求略回温,DRAM现货价格再度大涨,周一DDR3 2Gb eTT(未经测试有效颗粒)大涨近7%,一举站上1美元,从低点反弹以来累计涨幅达三成;并有利本月下旬合约价持稳以上开高。
7、8月以来DRAM价格一路重挫,在尔必达(916665)阵营率先喊出减产以后,9月效应逐步显现,DRAM现货价急弹也带动本月上旬合约价止跌回稳,DRAM股由有富爸爸台塑集团撑腰的华亚科(3474)、南科(2408)率先引领一波反弹行情,今日此两档与力晶(5346)、华邦电(2344)等股联袂上扬。
本波由现货价率先止跌强弹,昨日则是以DDR3 2Gb有效测试颗粒(eTT)价格补涨最为凌厉;据集邦科技报价,DDR3 2Gb eTT(未经测试有效颗粒)单日涨幅达6.91%,均价站上1.04美元,从上月23日的最低不到每颗0.8美元起算,累计涨幅已经逾30%。
从合约市场来看,DRAM九月上旬合约价也已出现跌势趋缓的走势,DDR3 2GB合约价持平开出,均价力守10.75美元,颗粒价格为1.13美元;昨天现货品牌价格已涨到1.17美元,转为领先合约价,对于本月下旬合约价持稳甚至开高为有利环境。
针对此波DRAM价格反弹,南科(2408)副总经理白培霖表示,返校需求没有预期差,加上大陆十一长假的备料需求,预估通路库存大约剩下2至3周,比起先前1个月以上的库存,价格压力可望纾缓。
受惠于日系以及数家台系DRAM厂的减产效应影响,现货市场陆续出现价格反弹走势,DRAM厂期望能藉著旺季需求,把这波现货价格的反弹反应至合约市场中,终止严峻的合约价格走势。






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