三星电子22日全球率先量产20nm级DRAM

三星电子22日全球率先量产20纳米级DRAM

记者21日获悉，全球最大的内存芯片厂商三星电子已经在全球率先批量生产20纳米级（1纳米是1米的十亿分之一）DRAM内存芯片。从而，三星电子将可以与日本、台湾等后继业者拉大差距。

20纳米级芯片将比三星电子原先主力产品__30纳米级芯片降低40%的成本，提高竞争力。这是因为，芯片线路的宽度变细，故切割芯片原材料——晶片而制成的芯片数量增加。

据芯片业界21日透露，三星电子自本月开始已经在京畿道华城纳米综合园区16号半导体存储器生产线批量生产20纳米级DRAM内存芯片。据悉，三星电子22日将在京畿道器兴、华城两厂举行量产仪式。届时三星电子董事长李健熙将出席。

三星电子从去年5月开始在京畿道华城建设16条生产线，已于近期完工并投入使用。华城16条生产线可同时生产电脑用DRAM芯片和智能手机等通信设备用NAND闪存芯片。

三星电子负责人表示：“届时李健熙董事长将接受有关芯片业整个行情的报告，并可能鼓励积极应对芯片市场不景气。”

另外，世界第二大存储芯片制造商海力士计划今年年底前研发20纳米级新产品，并于明年年初投入量产。今年5月，日本芯片厂家尔必达宣布将从7月开始量产25纳米级DRAM存储芯片，可至今连样品都没有推出。