三星NAND新厂投入营运 20nm DRAM量产

三星NAND新厂投入营运 20奈米级DRAM开始量产

三星电子(005930-KR)周四宣布，设在南韩的NAND快闪记忆晶片新厂正式投入营运。该公司同时表示，已启动20奈米级制程的DDR3 DRAM 量产，可望提高生产效率并降低能源消耗。

三星电子 (005930-KR) 周四宣布，设在南韩的 NAND 快闪记忆晶片新厂正式投入营运。该公司同时表示，已启动 20 奈米级制程的 DDR3 DRAM 量产，可望提高生产效率并降低能源消耗。

三星声明表示，位在南韩京畿道的新厂 16 产线 (line-16)，去年 5 月开始建造，今年 5 月完成无尘室的设备安装。

三星表示，公司计画加快生产 NAND 快闪记忆体以因应市场需求，明年也将开始采用更先进的 10 奈米制程等级的技术生产晶片。

NAND 快闪记忆晶片，广泛用于音乐播放器及数位相机等行动设备的资料储存；DRAM 则多见于个人电脑。