三星开始大量生产20nm DRAM和扩产Flash

三星开始大量生产20nm DRAM和扩产NAND Flash

全球最大记忆晶片厂南韩三星22日宣布，该公司一条新的生产线已开始大量生产，以提升平板电脑和智慧手机快闪记忆晶片的产量。三星去年5月开始为这座新厂投入12兆韩元(104亿美元)。三星并且宣布，已开始大量生产20奈米科技的先进DRAM。
 
 
外电报导指出，全球最大记忆体公司三星电子 (Samsung)于美东时间21日晚间10点整发布新闻稿宣布，最新位于南韩京畿道华城市的NAND型快闪记忆体 (NAND Flash)厂房“Line-16”已开始运作。三星同时还宣布量产业界首款采用20奈米制程技术的DDR3 DRAM，这款DRAM可大幅提升系统效能并降低耗电量。