三星扩产 料再掀价格战

三星扩产 DRAM强弹稍息 

 
外电报导指出，全球最大记忆体公司三星电子 (Samsung)于美东时间21日晚间10点整发布新闻稿宣布，最新位于南韩京畿道华城市的NAND型快闪记忆体 (NAND Flash)厂房“Line-16”已开始运作。三星同时还宣布量产业界首款采用20奈米制程技术的DDR3 DRAM，这款DRAM可大幅提升系统效能并降低耗电量。

由于目前正值全球DRAM减产，以及NAND Flash价格回稳之际，三星的扩产动作，再度引发供过于求的疑虑，这波止跌强弹的DRAM股今天回档，其中外资近日买超最多的指标股华亚科(3474)成砍杀标的，重挫摔落季线。

三星指出，Line-16的总投资额预计将达12兆韩圜 (104亿美元)，已自9月份起开始量产高效能的20奈米制程NAND Flash ，预期月产量可望超过1万片12寸晶圆。三星将视需求提升NAND Flash产能，同时也会自明 (2012)年起开始生产更为先进、采用10奈米制程技术的记忆体。

三星20奈米制程的2GB DDR3 DRAM效能将较30奈米制程提升50%，耗电量则可减少最多40%。三星计画在今年底前开发出采20奈米制程技术的4GB DDR3 DRAM，并在明年将产品组合拓展至4GB、8GB、16GB与32GB的DDR3模组。

对于三星增产NAND Flash，台湾模组业者表示，三星增产的部份是高容量产品，主要的需求应来自苹果公司及三星内部的手机需求，对目前台湾及大陆市场需求主要为4GB以下的中低容量影响有限，目前中低容量供不应求，惟三星以成本考量为由，新产能并不会增产中低容量产品，反而有助价格持稳。

至于DRAM部份，业者指出，三星的成本本来就比台湾业者低，此次宣布推出业界首款20奈米制程技术的DDR3 DRAM，等于又把竞争距离拉大，台湾业者目前最先进制程技术仍以50 、40奈米为主，三星预计明年推出的20奈米制程产品，预料再掀价格战，台湾业者短期内的竞争压力仍大。