Elpida 25nm面积最小的4Gbit DRAM

晶片面积最细小的4Gbit DRAM颗粒

Elpida 22 日宣布，采用 25nm 制程的 4Gbit DDR3 SDRAM 颗粒已经顺利成功研发，将推出全新记忆体颗粒型号，型号为 EDJ4104BCBG 和 EDJ4108BCBG ，而且更是目前市场上晶片面积最细小的 4Gbit DRAM 颗粒产品，预期将于今年 12 月份开始试产和量产出货。 

据 Elpida 表示，继早前发布的 25nm 2Gbit 记忆体颗粒正式出货后， Elpida 已开发出两倍容量 25nm 4Gbit 记忆体颗粒，比较采用 30nm 制程的 DDR3 SDRAM 4Gbit 记忆体颗粒，每片晶圆的晶片数量增加约 45% ，让厂商进一步减低生产成本。

采用 25nm 制程的 4Gbit DDR3 SDRAM 颗粒最高传送速率可达 1866Mbps 以上，并提供 1.5V 标准电压值和 1.35V 低电压版本，可满足市场对音乐，照片和爆炸瞬间需要交换数据的低功耗和加快数据处理性能。 

此外， Elpida 也指出采用 25nm 制程的 4Gbit DDR3 SDRAM 颗粒，比较采用 30nm 制程的颗粒在运行电流值降低了 25-30% ，而在闲置时的电流值则减少约 30-50% 。

预期，采用 25nm 制程的 4Gbit DDR3 SDRAM 颗粒将会应用于个人电脑和大型数据中心上使用，而且也会应用在平板电脑以及 UltraBookTM 等装置。同时， Elpida 指出预期将于今年 12 月份开始试产和量产出货，并会采用最新的技术继续发展高容量和低功耗产品。