斥资100亿美元 三星NAND量产抢市

斥资100亿美元 三星NAND量产抢市 

 
全球最大记忆体晶片制造商三星电子公司宣布，斥资100亿美元打造的新晶片生产线已开始量产，希望在行动装置需求强劲之际，扩大快闪记忆体市占。

三星表示，新生产线具备业界最大、最先进的记忆体生产设备，采用20奈米制程，主要生产广泛用于智慧手机与平板电脑等行动装置的NAND快闪记忆体晶片。

这是三星近五年来第一个新生产线，有助于三星大幅降低晶片生产成本，也可能加速市场供过于求，让小型竞争者难以生存。

三星投资12兆韩元（104亿美元）的新生产线位于首尔南部的华城，占地相当28座足球场，预计2012年底产能全开。

另据每日经济新闻报导，三星电子明年的资本支出将超过10兆韩元（83亿美元），与今年相同。

苹果公司和上个月加入平板电脑战局的Sony，都是三星的记忆体晶片客户。由于这个生产线具备价格优势，可能让大型客户更难更换供应商。不过，三星最大客户苹果因为双方侵权官司纷扰，已有意降低对三星晶片的依赖。

HI投资证券分析师表示，三星的新生产线不会对供应商造成立即影响，需要九个月才能产能全开，不过它彰显三星有意扩大快闪记忆体市占。

三星今年第二季全球NAND晶片市占增加3%，达到41.6%，排名第二的东芝市占则从35%降至29%。受惠于平板电脑与智慧手机等行动装置需求攀升，快闪记忆体晶片市场也非常活络。

路透引述花旗分析师表示，今年全球NAND晶片市场可望成长21%至230亿美元，主因是出货激增76%，将可抵销晶片降价31%的颓势。

三星电子昨（22 ）日宣布，储存型快闪记忆体（NAND Flash）新产能与最新世代20奈米DRAM技术量产，台湾力晶、南科、群联等相关业者密切关注。法人预期，三星持续以技术与产能大军抢市，恐不利供过于求的市况改善。

业界坦言，三星DRAM技术“跑太快”，台厂无力追赶。

以现在的状况为例，台厂还在30奈米世代制程试产，三星就已经迈入20奈米世代量产，这比台湾业者快至少一年以上的时间。

法人分析，近期DRAM现货价格重回1美元之上，波段涨幅超过一成，各大DRAM厂才稍微喘一口气，又得面临三星新制程出炉，尽管三星20奈米制程量产初期良率可能仍有有待提升，一旦三星跨过新制程学习取线，后续可能引发新一波价格战。