三星加速NAND扩产　20nm DRAM投入量产

三星加速NAND扩产　20nm DRAM投入量产

韩国三星电子公司(Samsung Electronics)表示，该公司位于韩国京畿道华城Nano City Complex园区的 NAND 快闪记忆体晶片新厂Line-16已开始投入营运。

三星公司并宣布量产半导体产业首款基于20nm制程技术制造的 DDR3 DRAM 。采用20nm制程的DDR3 DRAM将于三星另一座晶圆厂生产。(三星公司对20nm的定义是指20-至29-之间的制程节点)

“全球半导体产业正处于激烈的周期性波动时期，因而在此时启用这座新的记忆体晶圆厂以及开始量产全球首款20nm级的DRAM，对于强化三星的业界主导地位具有重要的里程碑意义，”三星电子公司董事长李建熙在新厂的启用仪式上表示。这项启用仪式约有500人参与，包括三星公司其它高阶主管人员。

三星公司表示已为 Line-16 新厂投资了12万亿韩元(约102亿美元)。该公司表示，这座晶圆厂从2010年5月开始动工兴建，并在一年后完成装机作业。今年6月已展开试产，8月时开始量产运转。三星公司将从本月开始大规模量产高性能的20奈米 NAND ，预计月产量超过10,000片300毫米晶圆。

三星公司并计划提高 NAND 快闪记忆体产量，以满足市场需求。该公司在明年开始采用更先进的 10nm 制程技术，量产具有更高密度与性能的快闪记忆体晶片。