从2D到3D 封测技术将成利基型DRAM关键

从2D到3D 封测技术　将成为利基型DRAM发展重要关键

DRAM依产品规格与应用，可区分为标准型DRAM(Strandard DRAM)与利基型DRAM(Niche DRAM)。

标准型DRAM主要应用于桌上型电脑、笔记型电脑(含Netbook)等PC应用，及其售后记忆体模组容量升级之DRAM，为DRAM市场之主流产品。

至于伺服器、工作站等电脑相关应用，及其售后记忆体模组容量升级之DRAM，于本研究亦被归类为标准型DRAM。

利基型记忆体可区分为Specialty DRAM、Mobile DRAM，与Graphics DRAM等3大类，广泛应用于消费性电子、可携式电子装置、手机、网通等终端产品，甚至车用电子与工业用市场，皆可看见利基型DRAM的应用。

利基型DRAM与标准型DRAM最大差异，为直接内嵌于终端产品之上，客制化程度高，因此利基型记忆体供应商亦可以提供记忆体解决方案的厂商视之，要与客户共同开发，所以，产品价格虽会因市场竞争等因素而下滑，但基本上不致如同标准型产品价格，出现崩跌情况发生。

无论是Specialty DRAM、Mobile DRAM或Graphics DRAM等利基型记忆体，终端产品对利基型记忆体性能上的需求，最主要包括低耗电、小面积、高效能，及高容量。

要同时符合来自终端市场的需求，制程微缩技术发展虽居于举足轻重地位，但预计2011年第4季三星电子(Samsung Electronics)即规划将20奈米世代制程导入量产后，面对再次世代10奈米制程导入量产，制程微缩技术进度将明显减缓，甚至停滞，此时后段封装测试技术的进步亦将扮演关键地位。

采用多颗DRAM晶片堆叠方式封装，在同一颗IC之中的多晶片封装(Multi Chip Package；MCP)技术已相当普遍，目的即为能在相同面积下，制造出更大容量DRAM产品。而将多颗记忆体晶片堆叠后，下层再多叠一层已封装好的逻辑IC的系统级封装(System in Package；SiP)技术，亦已为智慧型手机大量采用。

未来矽穿孔(Through Silicon Via；TSV) 3D IC封装技术，将更会是引导利基型DRAM从2.5D迈向3D重要技术发展方向。