不敌后PC时代冲击 三星调降PC DRAM产能
* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2011-09-30
不敌后PC时代冲击 三星调降PC DRAM产能
随行动装置的兴起快速压缩个人电脑(PC)市场，导致动态随机存取记忆体 (DRAM)需求下滑，半导体解决方案大厂三星电子(Samsung)于9月29日第八届三星行动解决方案论坛中宣布，明年将持续缩减PC DRAM产量，同时将重心移转至行动装置与伺服器等市场，可望加速行动装置DRAM技术与制程发展。
三星电子半导体事业暨装置解决方案事业社长权五铉表示，由于目前传统PC市场对于DRAM的需求委靡不振，导致供过于求的情形使DRAM价格崩盘。为降低公司营运风险，将PC DRAM的产能调降已无可避免。然而，行动装置与伺服器等DRAM需求则预计2012年将会持续且稳定的成长，因此该公司将开始拉高相关DRAM产能。目前三星的整体DRAM产量中，行动装置与伺服器合计共占70%，其他含PC的部分则占30%。
不过，权五铉进一步表示，尽管三星调降PC方面的DRAM产能，但不代表会因此放弃PC市场，只是现阶段调降产能可降低生产成本，是必要措施，也是目前全球各家DRAM厂都在执行的策略。眼前最重要的目标，是要锁定正快速增长的行动装置与伺服器的DRAM市场需求，而获取客户订单的关键之，则在于技术领导力与如何替客户创造更高的产品价值。
为协助客户打造更高性能、更有差异性的产品，三星已研发出30奈米(nm)4GB第三代低功耗双倍资料率(Low Power Double Data Rate 3, LPDDR3)行动DRAM技术，并开发出以20奈米64GB储存型快闪(NAND Flash)记忆体打造的高性能内嵌式记忆体(embedded Multi Media Card, eMMC)，并于明年开始将大量应用在新款的智慧型手机与平板电脑等终端装置中。
据了解，4GB LPDDR3的启动速度比现有的4GB LPDDR2快1.5倍，资料传输量最高能够达到12.8GBit/s；最高储存容量也从两段积层4GB LPDDR2的1GB(8Gb) 扩大到四段积层的2GB(16Gb)，未来市场上大容量记忆体的比重可望快速增加。而新推出的20奈米64GB内嵌式记忆体则是针对行动装置市场所设计，该产品厚度仅1.4毫米(mm)、重量0.6公克(g)，并可储存高达一万六千多首MP3歌曲，读取速度比起30奈米的64GB内嵌式记忆体快四倍。在连续读取速度与写入速度方面则实现80Mbit/s、40Mbit/s，比起过往的产品快上三倍，进一步提高产品竞争力。
对于下一代行动装置处理器的布局，权五铉特别强调，未来行动装置下一代的处理器朝向多核心迈进已是必然趋势，三星也一直都在进行多核心处理器相关产品的开发工作。而设计多核心处理器中的关键技术--三维晶片(3D IC)也已经准备就绪，待解决成本问题后，相信2～3年后，利用3D IC技术所制成的多核心处理器即可问世，为行动装置带来更大的突破性发展。
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