三星电子推出高性能行动终端设备记忆体

三星电子推出高性能行动终端设备记忆体方案

三星电子(Samsung Electronics)公司日前于2011三星行动解决方案年度论坛会场中展出 4Gb LPDDR3 。采用30nm制程的新一代 4Gb LPDDR3 启动速度比现有 4Gb LPDDR2 (800Mbps)快1.5倍，资料传输量最高可达12.8GB/秒，预计明年第一季即可用于智慧手机和平板电脑等高性能的行动终端。

随着资料传送速度的加速，高性能行动终端器的最高储存容量也从2段积层4Gb LPDDR2的1GB(8Gb)扩大到4段积层4Gb LPDDR3的2GB(16Gb)，市场上大容量记忆体产品比重可望快速增加。三星电子继先前研发出30奈米级4Gb LPDDR3 行动DRAM 技术，接着开发出20奈米级 64Gb NAND Flash 平台的高性能内嵌式记忆体(eMM)。

采用30奈米制程的新一代 LPDDR3 行动 DRAM 技术计划将从今年第四季开始为行动终端制造商提供新一代 LPDDR3 行动 DRAM 样品，预计明年即可用于智慧手机和平板电脑等各种高性能行动终端器。

此外，三星推出的64GB 内嵌式记忆体(eMMC)是目前速度最快的常用记忆体，也是针对行动终端市场所研发。该产品厚度仅为1.4mm、重量0.6g，却能储存16000多首MP3歌曲，基于此优势，该产品在智慧手机、平板电脑等高性能行动终端器上的使用频率将会日益增加。

三星电子此次开发的20奈米级64GB eMMC 产品，可作为行动终端器的高速解决方案，在随机读取速度上实现了400IOPS的最快速度，比起原有的30奈米级64GB eMMC 产品的100IOPS速度快四倍。同时，在连续读取速度和写入速度上实现了80MB/s、40MB/s，比原有的高性能外存记忆卡(24MB/s、12MB/s)快三倍，因此提高了产品的竞争力。

三星电子计划在2012年使用 JEDEC eMMC 4.5 标准，量产比20奈米级64GB eMMC 产品性能提高两倍的大容量记忆体，创造一个最高性能的 Premium 级记忆体储存市场，扩展 NAND Flash 市场范围。