海力士营运表现下滑 恐失存储器亚军宝座

海力士营运表现下滑 恐失存储器亚军宝座 美光顺势接替 

据韩国电子新闻报导，在营收和营益率方面都出现下滑下，存储器芯片大厂海力士(Hynix)可能将固守3年的地位拱手让给美光(Micron)。海力士2011年上半因计算机用DRAM价格下跌、且持续进行股权抛售作业，对NAND Flash投资态度较为保守，未能赶上新趋势。
据韩国业界预估，海力士2011年第3季营收约2.3兆韩元(约19.7亿美元)，且将出现2,500亿韩元营损。据预测，海力士第3季营收将较第2季减少16.7%，为2.3兆韩元，且将出现3,050亿韩元赤字。HMC证券则估计，海力士营收约2.37兆韩元、较第2季减少14.3%，营业利益赤字规模约2,290亿韩元。
海力士第3季营益率约为负10%。自2009年第2季后，海力士维持2年多的盈余，又再度转为赤字。
而美国美光9月30日发表2011会计年度第4季(201年6~8月)财报，营收为21.4亿美元，营业利益赤字规模为5,100万美元，虽然汇率可能成为变量，但在营收和营业利益方面都较海力士表现优秀，这将是美光从2008年第3季后，睽违3年再度超越海力士。
海力士第2季时仍维持优于美光的营收和营益率，然因两间企业的产品投资组合(portfolio)构造不同，使美光第3季得以超前海力士。美光整体营收中，以NAND Flash占最大比重，约40%，DRAM比重占30%，其它为NOR Flash10%及CMOS影像传感器等产品。而海力士第2季时，DRAM芯片仍占整体营收的73%、NAND Flash占25%及其它2%等，DRAM占营收比重过高。
2010年底开始，DRAM价格持续下滑，海力士也受到冲击，近来1Gb DRAM合约价较2011年初下滑43%，而32Gb NAND Flash价格在同期间约下滑29%。
海力士2009年时在NAND Flash领域仍属领先企业，且与其它竞争厂维持约1年的技术差距，2010年推出26纳米NAND Flash后，技术差距缩减至3个月内。由于海力士未依照市况严格执行支出管理，且受到股权抛售作业影响，未能早期对NAND Flash投资，能维持的市占率相当有限。
韩国业者指出，海力士2010年底每季扩大NAND Flash比重约1~2%，但相对于技术能力，投资显得过于保守。DRAM价格迟迟未回复，从长期的观点来看，应早先扩大NAND Flash比重。
韩国业界预测，受到汇率及DRAM价格未恢复等因素影响，海力士和美光在业界的排名仍无定数，但以目前情况来看，海力士暂居劣势。