需求百花齐放 NAND营收3年内追过DRAM

需求百花齐放 NAND营收3年内追过DRAM 

相较于DRAM产业憔悴多时，智能型手机、平板计算机、固态硬盘(SSD)终端需求百花齐放，预计将再创NAND Flash产业高峰，2014年全球NAND Flash营收将超过DRAM营收规模，而在DRAM产业上，韩系大厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)将持续独占市场，尤其2012年27纳米和2x纳米将陆续量产问世。
相较于DRAM市场萎缩，应用端过于集中在个人计算机(PC)中，即使有智能型手机用的Mobile RAM需求诞生，但消耗的存储器容量和PC用标准型DRAM相比是天壤之别，反观NAND Flash这几年在各种应用面百花齐放刺激下，屡屡挑战DRAM存储器主流地位，也成为每一家存储器大厂竞逐的目标。
市场认为NAND Flash产业营收规模迟早会被NAND Flash超越，Gartner研究副总Andrew Norwood指出，2011年全球DRAM产业营收规模约290亿美元，较2010年减少26.6%，而2011年全球NAND Flash产业营收规模约248亿美元，较2010年成长20.6%，2014年NAND Flash营收将会正式超过DRAM营收规模，容量则会在2016年超过。
再者，全球DRAM产业营收规模预计会在2012、2013年回复到正成长轨道，营收规模各为321亿美元和345亿美元，但2014年将再度陷入负成长。
NAND Flash应用领域最大的驱动力，来自于各种行动装置如智能型手机、平板计算机、固态硬盘等；Norwood表示，预计2012年NAND Flash每1个GB芯片成本会降到1美元以下，将可大量刺激SSD需求再起，预计到了2015年手机、平板计算机和个人计算机(PC)等3大应用将会占NAND Flash需求的75%。
制程技术竞赛上，财力决定最终胜负，三星无疑是最大赢家，2011年第2季时，三星的46纳米和35纳米制程已占比重达75%，预计年底35纳米制程比重会超过50%，2012年将往27纳米迈进。
其次，海力士2011年38纳米制程也已量产，预计年底38纳米等先进制程可接近40%，2012年也会往2x纳米迈进。
美光阵营已将DRAM生产重任放在华亚科身上，华亚科也完成42纳米转换，进入30纳米制程的试产；尔必达和瑞晶在2012年初也将开始进入30纳米量产期。
受惠供应链库存逐渐消化，且部分DRAM厂开始减产，近期DRAM价格明显回稳，不过这一波DRAM厂减产幅度并不明显，例如尔必达(Elpida)阵营业者就没有明显的减少投片量，主要是将产出先放在库存中，而南亚科和华亚科则是小幅减产。
三星电子(Samsung Electronics)全球市占率突破40%，即使是紧追在后的海力士(Hynix)市占率22.6%都难以追赶上，但真正陷入苦战的是尔必达和美光(Micron)，因为2者市占率太接近，几乎差距是在2~3个百分点间，2者都在互争全球三哥的地位。
Andrew Norwood指认为，在库存逐渐消化下，预计第4季DRAM产业状况会比第3季好一点，而即使台厂如茂德等退出市场，并不会影响市场供需。