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2015年前智慧型手机DRAM需求上升700%

* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2011-10-19

2015年前智慧型手机DRAM需求上升700%

根据调研机构 IHS iSuppli,今年应用在智慧型手机上的 DRAM 晶片出货量将有惊人的 3 位数成长,超过整体 DRAM 市场的成长幅度。

以 1GB 等量单位估算,用在智慧型手机的 DRAM 出货量今年预计上升至 17 亿个单位,较去年 6.72 亿个单位成长 157.2%。到 2015 年之前,出货量将上升至 139 亿个单位,较今年成长 700%。

IHS 记忆晶片需求预测部门的分析师 Clifford Leimbach 表示:“智慧型手机内使用的 DRAM 正快速上升,系因这些是高记亿密度的晶片,且设备销售量也不断上升所致。”

“今年 DRAM 在智慧型手机的成长惊人,与此相较,整体 DRAM 市场 (主要为对PC事业的销售量) 的出货量成长仅50%就失色许多。这两者的成长差距解释了 DRAM 厂商积极竞争手机 DRAM 市场的原因。虽然 DRAM 晶片也用于平板电脑和电脑等设备,但智慧型手机的 DRAM 市场仍会持续成长。”

整体 DRAM 使用量中,今年智慧型手机的使用率将从去年的 4.4% 上升至 7.6%,明年提高至 10.6%,2013 年达 13.4%,2014 年达 14.9%,下一年达 16.0%。

至少近来发行的 4 款智慧型手机,经由 IHS iSuppli 拆解内部后,发现这些设备都搭载更大量的 DRAM 晶片。

Sony Ericsson 的 Xperia PLAY 搭载 512MB 的 DRAM 晶片,而三星电子的 Galaxy Indulge 搭载 576MB 的 DRAM 晶片,苹果 iPhone 4 的 DRAM 晶片达 544MB,台湾宏达电的 Thunderbolt 手机则配备最高等级 768MB 的 DRAM 晶片。

这 4 款智慧型手机的记忆体配置均使用离散 DRAM 晶片,以及含 NAND 快闪记忆晶片的标准方式。其他设备的记忆体配置方式包括使用多晶片封装 (MCP),将 DRAM 和 NAND 等不同的记忆体整合成单一晶片等。

这些手机厂在优化表现性能时,仍积极维持整体成本持平。因此这 4 款手机的材料费用表 (BOM) 中,记忆体费用比例平均在 15.7%,唯一超过这比例的只有 iPhone,iPhone 的记忆体成本占整体 BOM 表高达 22.1%。

但即使手机厂努力缩限记忆体成本,但智慧型手机的 DRAM 平均密度仍会逐渐提升,预期明年智慧型手机 DRAM 平均密度就会提高至 715MB,较今年 461MB 的水准提高 55%,且短期看来,成长无可限量。