NAND Flash产值规模上看250亿美元

NAND Flash产值规模上看250亿美元 

智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)、超薄型笔记本电脑(NB)等多元化应用刺激下，2011年NAND Flash需求卷土重来，各家市调机构对于2011年NAND Flash产值规模，预估约在220亿~250亿美元之间，且预估2012年产值会再成长15~20%。
再者，全球4大NAND Flash供应商2011年底开始，制程技术陆续转进21纳米、20纳米、19纳米等，预计会再驱动NAND Flash芯片成本结构下降，有助于2012年固态硬盘(SSD)和内嵌式存储器比重攀升。
综观全球4大NAND Flash供应商的制程规画，三星电子(Samsung Electronics)转进年底将量产20纳米制程，东芝(Toshiba)/新帝(SanDisk)阵营转进19纳米制程、美光(Micron)/英特尔(Intel)转进20纳米制程，而海力士也将大量转进21纳米制程，预计2012年NAND Flash成本结构会再有一番改善。
2011年NAND Flash应用领域是百花齐放，智能型手机、平板计算机、超薄型NB带动的内嵌式存储器所赐，外接式应用如快闪记忆卡、优盘等由于市场成熟化，则是逐渐集中在品牌业者身上。
以2011年和2012年NAND Flash市场产值来看，2011年产值规模预估约在220亿~250亿美元之间，其中Gartner估计产业营收规模将达248亿美元，较2010年成长20.6%，2012年将达285亿美元；而TrendForce则预估产值将达220亿美元，2012年将达260亿美元。
在产出方面，由于2011年三星、东芝/新帝、美光/英特尔3大阵营的新12寸晶圆厂都已开始运行，预计2012年产出会再扩充，虽然传出由于全球经济景气放缓，3大阵营扩产脚步可能会调整，但目前仅传出各厂都审慎评估资本支出的扩充而未传出减产；TrendForce则统计2012年全球NAND Flash资本支出将从2011年91亿美元降至83亿美元，而2012年NAND Flash生产位元成长率，将维持在68%水平。
在外接式记忆卡方面，目前各家模块厂策略上，都纷纷从低阶的Class 4转进高阶的Class10产品，相较于Class 4的SD卡，Class10产品读写速度快，适合用于动态摄影和连拍等，目前市场对于Class10的SD卡接受度越来越高；另外，在优盘业务上，由于市场饱和，容量往上会与部分SSD产品定位重迭，因此模块厂着重在外观造型和内附数码软件的附加价值。
例如，金士顿(Kingston)推出urDrive是在优盘中内建1个软件，藉由此软件功能可以清楚检视优盘内的资料，并制作个人化的档案包括利用相片检视器整理相片、内建的浏览器查找资料等，让优盘跳脱硬件形象。
再者，USB 3.0接口的优盘，也是2012年另一波换机需求的可能，2012年英特尔(Intel)将在Ivy Bridge中内建USB 3.0规格，可望带动USB 3.0优盘需求的出现。
在内嵌式存储器方面，除了智能型手机用的eMMC之外，目前各家品牌大厂推出的Ultrabook也内建SSD等接口，都有助于NAND Flash产业应用；不过，目前市场对于Ultrabook评价多认为价格太高，其中也与SSD成本过高有关，因此2012年各厂导入先进制程后，成本的下降会对于SSD价格下滑有帮助。