Moblie RAM

Moblie RAM

行动产品最重要的是续航力，而电池容量又受到体积限制，因此省电乃首要条件。随著技术与制程的演进，Mobile RAM的电压自3.3V，降至2.5V、1.8V，目前更进一步降至1.2V，比标准型DDR3的电压(1.35V~1.5V)还低。

智慧型手机与平板电脑强调多媒体应用的表现，为提升运作效能，Mobile RAM已导入DDR介面，其主流规格也自Mobile SDR，提升至Mobile DDR。目前Mobile DDR2则是全球记忆体厂商的重点开发产品，其宽度也从x16，x32提升至x64，以强化整体处理速率，现今其运作频率已达1066MHz，并持续向上突破中。

此外，高品质的影音串流与处理需要足够容量的DRAM，因此高容量也是Mobile RAM上很重要的趋势。2011年许多新款智慧型手机搭载1GB DRAM，因此DRAM厂商纷纷推出更高容量的Mobile RAM。其中三星电子(Samsung Electronics)已于3月宣布，以30奈米制程量产4Gb Mobile DDR2产品，并借由2层堆叠的方式，试产8Gb mobile DDR2。

新款智慧型手机不但效能更强大，其外型更是轻薄。以iPhone为例，iPhone 3GS的厚度为12.3毫米，而iPhone 4厚度缩减近4分之1，终端产品的尺寸当然取决于内部零组件同步的调整。就记忆体而言，容量加大，而体积要缩小，除了晶圆制程的微缩外，封装制程与型态亦为关键。