三星全新半导体生产线正式量产

Samsung 斥资 186 亿美元巩固地位
平泽全新半导体生产线正式投入量产

为了满足日益增长的半导体及显示器需求， Samsung 在 4 日宣布位于南韩平泽的新半导体生产线已投入服务及开始量产，并将其第一批产品运送给客户，全新的设备将专注于 Samsung 第四代 64 层 V-NAND 的生产，预计能够让 Samsung 保持在储存产品的领先能力。

 据了解， Samsung 已经开始量产新一代 64 层 256Gb V-NAND FLASH ，全新产品将用于扩展伺服器、 PC 及移动应用的储存解决方案，并将在未来拓展至嵌入式 UFS 快闪记忆体、品牌 SSD 及外部储存记忆卡之中。

Samsung 全新 64 层 3-bit 256Gb V-NAND 具有 1Gbps 的数据传输速度，是目前 NAND FLASH 中最快的速度，并具有业界最短的 500 微秒（㎲）的页面编程时间（ tPROG ），比典型 10nm 的平面 NAND FLASH 高出约四倍，比 Samsung 最快的 48 层 3-bit 256Gb V-NAND FLASH 的速度快了约 1.5 倍。

与之前的 48 层 256Gb V-NAND 相比，新的 64 层 256Gb V-NAND 增加了超过 30% 的生产率，同时 64 层 V-NAND 的电路具有 2.5V 的输入电压，相比 48 层 V-NAND 的 3.3v 电压，能量效率提高了约 30% ，新 V-NAND 电池的可靠性与其前代相比亦增加了约 20% 。

 面对 IoT 物联网应用、 AI 人工智能、 Big Data 大数据及汽车技术等近期新兴 IT 趋势对下一代组件的需求急剧增加， Samsung Electronics 及 Samsung Display 计划通过向全球生产设备投资 37 万亿韩元加强其制造能力。到 2021 年， Samsung 将在目前的平泽线投资 30 万亿韩元，以扩大其半导体制造能力。

Samsung 还计划在韩国华城投资 6 万亿韩元，为半导体生产线进行优化，以安装最先进的基础设施，包括 Extreme Ultra Violet （ EUV ）设备，同时 Samsung Display 亦正计划 2018 年在韩国牙山市建立一个新的 OLED 生产工场。