海力士扩产3D NAND 杠三星

海力士扩产3D NAND 杠三星

3D NAND市场的竞争日益白热化，为了不让三星电子日前宣布量产64层3D NAND快闪记忆体专美于前，SK海力士正推动扩大72层NAND记忆体的生产，计划在南韩忠清北道省清州市的第二生产基地建造一条新的3D NAND产线，预期本月举行动土典礼，2019年开始营运。

三星电子上周以超越SK海力士之姿，宣布在南韩平泽厂开始生产64层V-NAND快闪记忆体，这个时点也让三星电子得以在自去年第2季以来NAND记忆体供应吃紧状况下掌握优势。这种快闪记忆体产品可连结智慧手机、平板电脑等所有行动装置，以及储存庞大资料。

市调业者IHS Markit的资料显示，目前三星在全球NAND记忆体市占为36.7%，东芝以17.2%排行第二，美国威腾电子和SK海力士则分占15.5%和11.4%。

南韩第二大晶片制造商SK海力士在2015年开始开发3D NAND晶片，大约落后三星电子两年，但以目前3D NAND技术研发速度和产能来看，SK海力士确信自己拥有很好的机会。

一位半导体业界资深主管表示：“谁先开发技术，谁就赢，SK海力士拥有技术量产目前全球最先进的72层256GB的3D NAND记忆体晶片，而且SK海力士生产的晶片品质已能和三星并驾齐驱。”

SK海力士10日并表示，已正式成立晶圆子公司“SK海力士系统IC公司”，专注于晶圆代工事业并深耕系统晶片产业。目前计划以开发8吋晶圆制程技术为主，拚争取更广泛的买家青睐。

韩联社报导，SK海力士系统IC公司股权全属SK海力士，未来将专注于晶圆代工业务，为其他没有晶圆厂的公司进行晶片设计与代工。