车规NAND资料可保存十年

旺宏推车规NAND 资料可保存十年

记忆体制造厂旺宏宣布，推出通过AEC-Q100 Grade 2/3车规标准认证的储存型快闪记忆体（NAND Flash）产品，内存的资料约可保存10年，写入次数可达10万次。

旺宏指出，这次发表的车用NAND Flash，采用自有专利的36奈米制程技术，透过电路设计，达成车用电子对高容量、高传输效能与高可靠度快闪记忆体的需求。

除内存资料可保存10年，写入次数可达10万次，旺宏表示，车用NAND Flash产品储存容量涵盖1Gb到8Gb，工作温度范围从摄氏105度至零下40度，为了兼顾不同电压需求，同时提供1.8V与3V的产品。

为充分监控并掌握产能与进度，旺宏指出，车用NAND Flash将在自家的12吋晶圆厂生产；除NAND Flash外，旺宏车用快闪记忆体产品线还包括序列式与并列式编码型快闪记忆体（NOR Flash）。