存储器涨势下半年放缓

DRAM、NAND晶片市场，今年销售额可望创新高

根据产业研究公司IC Insights出具的最新分析报告，DRAM晶片和NAND快闪记忆体晶片的全球销售额可望在今年创下历史新高，而南韩晶片厂可望成为这波产业荣景的最大受益者。

　分析中指出，急涨的晶片平均出货价格（ASP）是全年销售额缔造佳绩的主要原因，DRAM和NAND晶片价格自2016年下半年开始起涨，并逐季成长至今年上半年。今年第二季DRAM晶片平均出货价格较去年第三季大涨16.8%，NAND晶片价格在这段期间内则上涨11.6%。

　IC Insights表示，虽然DRAM平均出货价格涨幅料将在今年下半年放缓，但全年累计涨幅仍可望达到63%，将创下该公司开始编列这项数据以来的最大涨幅，改写1997年全年上涨57%的记录。NAND晶片今年平均出货价格可望上涨33%，亦将超越2000年NOR快闪记忆体价格的上涨52%，创下历来最大涨幅。

　报告并指出，三星电子和SK海力士的营业利益将反映这波荣景，可望成为最大受益者。

　不过IC Insights亦提出警告，扩大记忆体晶片设备投资可能导致晶片价格回落。未来几年3D NAND快闪记忆体产能过剩的可能性相当高。