海力士期望掌握市场竞争优势

SK 海力士 2017 年将扩大投资，期望继续掌握市场竞争优势

面对当前记忆体市场不论 DRAM，或是 NAND Flash 快闪记忆体供不应求的情况，南韩记忆体大厂 SK 海力士预计将在 2017 年下半年开始，提高 1x 奈米生产制程的 DRAM 生产比例。

根据南韩媒体 《每日经济》 的报导指出，面对当前记忆体市场不论 DRAM，或是 NAND Flash 快闪记忆体供不应求的情况，南韩记忆体大厂 SK 海力士预计将在 2017 年下半年开始，提高 1x 奈米生产制程的 DRAM 生产比例。另外，还将持续增加 14 奈米制程的 NAND Flash 产量。目的在于以更具优势的成本竞争力，达到获利提升的目的。

报导中进一步表示，在当前行动通讯设备对 DRAM 及 NAND Flash 产品的容量持续增加，并且受惠于大数据的应用普及、人工智慧与机器学习的快速发展，也使得云端资料中心的伺服器需求增加，带动 DRAM、固态硬碟（SSD）需求提升的情况下，市场上对于记忆体的需求自 2016 年中以来热度持续不减，造成供应量的不足，并导致价格的上扬。

有鉴于市场上的需求，各家记忆体大厂纷纷提供投资金额，扩大产能，以争取市场商机。其中，SK 海力士在 2016 年的总投资规模达到 6.29 兆韩圜 （约新台币 1,709 亿元），而 2017 年投资金额预估更加达到 7 兆韩圜 （约新台币 1,902 亿元），并且计划在 2019 年 6 月底前，投资 2.2 兆韩圜 （约新台币 598 亿元）用于南韩清州兴建 NAND Flash 快闪记忆体工厂。

另外，在产品的研发上，2016 年 SK 海力士总计斥资了占营收 12.2%，金额达到 2.1 兆韩圜 （约新台币 571 亿元）的研究经费。其成果，除了在 2017 年 1 月推出全球最高容量的超低功耗行动装置 DRAM – LPDDR4X 之外，也在 4 月份推出可作为人工智慧、虚拟实境、自动驾驶、以及 4K 以上高画质显示器用记忆体的超高速绘图 DRAM – Graphics DDR6。

至于，在 NAND Flash 快闪记忆体的产品上，2017 年 SK 海力士成功开发出 72 层堆叠，比上一代 48 层堆叠晶片运作速度提升 2 倍，读写性能也拉升 20% 的 3D NAND Flash 之后，已经在 7 月份开始进行量产。据了解，72 层堆叠比上一代 48 层堆叠的 NAND Flash 快闪记忆体生产效能提高 30%。而针对市场上对 SSD 硬碟的需求，SK 海力士也推出搭载自主研发控制器的移动装置用 eMMC 产品，以及 PCI 介面 SSD 固态硬碟，提升 SK 海力士在 3D NAND Flash 快闪记忆体产品上的竞争力。