DRAM涨势画句点？

SK砸钱扩产！3D NAND恐过剩、DRAM涨势画句点？

记忆体进入制程转换，产能大减，从去年下半到今年上半以来，DRAM均价飙升17%、NAND均价攀涨12%，难怪业者无不撒钱扩产。但是IC Insights警告，过度投资恐怕会导致产能过剩。
 
韩媒etnews报导(见此)，韩国记忆体大厂SK海力士(SK hynix)26日表示，今年将斥资86.1亿美元(9.6兆韩圜)，进行设备投资。此一金额比年初宣布数字高出37%、也比该公司去年的设备投资总额高出53%。
 
SK海力士撒钱，是想让新厂提前完工。该公司主管Lee Myung-young说，生产DRAM的中国无锡厂和生产NAND flash的韩国清州(Cheongju)厂，原定完工时间是2019年上半，如今将提早至2018年第四季，比预定时间提早半年。
 
SK海力士强调，新厂落成后，记忆体产出不至于暴增，估计DRAM和NAND flash产能只会增加3~5%，呼吁市场放心。业界人士认为，这是因为资金多用于技术升级。
 
然而记忆体业者大手笔投资，仍让IC Insights忧心忡忡。该机构18日新闻稿称(见此)，记忆体以往市况显示，过度投资常会造成产能过剩、削弱价格。未来几年三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝/SanDisk、武汉新芯(XMC)/长江存储(Yangtze River Storage)都大举提高3D NAND flash产能，未来可能还有中国新业者加入战场，3D NAND flash产能过多的可能性“非常高”(very high)。
 
此外，DRAM和NAND的价格涨势也逐渐放缓。尽管DRAM均价涨势在2016年第四季触顶，但是直到2017年Q2仍表现强健。IC Insights估计，今年Q3 DARM均价将略为上扬，Q4则微幅下跌，代表DRAM上升循环告终。
 
路透社、美联社等多家外电报导，三星4日宣布，要砸至少21.4兆韩圜(相当于186.3亿美元)，扩充生产线。2021年为止，要对位于平泽市的NAND型快闪记忆体厂房投入14.4兆韩圜，并对华城市新建的半导体生产线投入6兆韩圜。位于中国西安的NAND生产基地也会多盖一条生产线，但投资金额和时间表还未定。
 
BusinessKorea、Investor 12日报导，三星电子位于南韩平泽(Pyeongtaek)的工厂，号称是全球最大的半导体工厂。消息传出，平泽厂预定七月启用，将生产第四代3D NAND。
 
IHS Markit估计，三星NAND的总产能(平面+3D)，约为每月晶圆投片量45万组，其中一半以上都是3D NAND。据传平泽厂将专门量产3D NAND，等产能全开时，NAND产量将大增，能争抢更多市占。