海力士扩产 涨势恐喊卡

  海力士扩产 DRAM涨势恐喊卡

南韩记忆体大厂SK海力士（SK Hynix）宣布今年资本支出追加至86.1亿美元，进行3D NAND Flash和DRAM两大记忆体扩产，让3D NAND型记忆战火提前引爆。市场正密切注意三星和美光的动作，担心DRAM涨势将提前画下句点。

南韩记忆体大厂率先提早资本支出的行动，为两大记忆体一片缺货声中，投下震撼弹。根据南韩媒体报导，SK海力士追加今年资本支出至9.6兆韩元（约86.1亿美元），比年初宣布的数字增加37%，比去年的资本支出增逾五成%。

SK海力士上修资本支出，想让新厂提前完工。SK海力士无锡厂主要以生产DRAM为主；另在南韩清州厂主要生产3D NAND Flash。这两项新建投资原定完工时间是2019年上半年，如今将提早至明年第4季，比预定时间提早半年。

虽然SK海力士强调这是投资只要用于技术升级，即使新厂落成，也不会造成整体记忆体暴增，估计DRAM和NAND Flash产能只会增加3~5%，不会造成记忆体供过于求。

不过，SK海力士这项扩大投资，已引起法人圈担心记忆体乌云将提前飘至。稍早已有美系外资下修美光营运展望，导致美光股价自32.95美元高档，连续五个交易日呈现下跌，上周五（28日）跌破30美元支撑，以29.28美元作收，跌幅3.2%，波段跌幅逾11%。

市调机构IC Insights稍早更忧心忡忡认为，未来几年包括三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝、威腾、武汉新芯、长江存储，都大举提高3D NAND Flash产能，中国大陆还有新业者也会加入战场，3D NAND Flash产能供过于求的可能性相当高。