DRAM合约价Q3涨约5％

PC DRAM合约价 Q3又涨约5％ 

DRAM市场持续供不应求，随着下半年进入智慧型手机及资料中心伺服器备货旺季，三大DRAM厂将PC DRAM产能调拨生产行动式及伺服器DRAM，导致PC DRAM市场供给量无法满足市场需求，一线ODM/OEM厂为了确保供货量，已答应DRAM厂再涨合约价，主流的4GB DDR3/DDR4模组均价涨至28.5美元，涨幅约达5％。

整体来看，第3季PC DRAM合约价顺利调涨，势必再带动行动型、伺服器、利基型DRAM的涨价效应，对南亚科来说，受惠于20奈米制程产能陆续开出，位元出货量再见成长动能，不仅营收及毛利率表现将优于上季，本业获利也可望续创新高。至于模组厂威刚、创见等亦将受惠。

由于三大DRAM厂今年并无新增投片量，下半年位元成长只能仰赖1x/1y奈米制程微缩。但受到新制程转换的良率不理想影响，加上美光桃园厂（前华亚科）日前发生气体外泄问题，下半年DRAM市场供给吃紧情况将延续到年底，第3季DRAM合约价也顺利再涨约5％，第4季仍有再度涨价空间。

主流的4GB DDR3/DDR4模组合约均价7月调涨至28.5美元，与第2季均价相较涨幅约5％。PC DRAM模组合均价今年以来由18美元涨至28.5美元，累计涨幅高达58％。

在客户的压力下，三大DRAM厂不得不决定扩增产能因应强劲需求，不过迄未见到兴建新DRAM厂的动作，只是想办法在现有产能中挤出投片量。以三星为例，可能会把Line 17厂部份NAND Flash产能移转到平泽厂，再想办法挤出4～5万片DRAM产能。SK海力士则想办法在M14厂挤出2万片空间建置新生产线。美光的日本广岛厂及桃园厂已满载投片，台中厂第二期开始建置17奈米约3～4万产能，但产能开出要等到明年下半年。

法人看好南亚科下半年本业营收及获利将逐季走高。至于在新制程布建上，南亚科20奈米已于5月取得客户验证并提前量产，第3季位元销售量较上季成长5％左右，预估第4季可有显著成长，明年全年位元销售量成长率将较今年大幅成长45％。