Flash七月单位报价上涨

NAND Flash七月单位报价涨至3.5美元，月增13%

据日经新闻报道，NAND Flash七月份每单位出货价格来到3.5美元，较前月成长13%。同期间，标准4GB DDR3存储器芯片价格上涨3%，成为每单位3.1美元。报导指出，存储器厂出货赶不上接单速度，订单完成率不及五成。

随着手机厂为年底销售旺季备战冲刺，存储器供需持续吃紧，涨势不停。在供需吃紧的状况下，存储器厂产能似乎优先服务手机客户，造成PC用存储器供给进一步受压缩。瑞穗证券分析师指出，存储器成本可能垫高终端产品价格，如苹果新iPhone顶级版售价预估将超过1000美元。

此前，IC Insights发布报告指出，DRAM及NAND Flash售价已经连续四个季度上涨。不过因为原厂纷纷提出扩产计划，IC Insights稍早忧心忡忡认为，未来几年包括三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据、武汉新芯、长江存储，都大举提高3D NAND Flash产能，大陆还有新建厂商也会加入战场，3D NAND Flash产能供过于求的可能性相当高。

近期SK海力士宣布今年资本支出追加至86.1亿美元，进行3D NAND Flash和DRAM两大内存扩产，让3D NAND存储器战火提前引爆。 市场正密切注意三星和美光的动作，担心DRAM涨势将提前画下句点。

韩国两大存储器厂三星与SK海力士，DRAM市占率合计近七成，将是存储器涨价的最大受惠者。三星日前公布第二季半导体部门营利来到8.03兆韩元，几乎是去年同期2.64兆韩元的三倍。SK海力士同期间营利更是暴增573.7%，并改写历史新高。