三星扩增中国 Flash产能

三星扩增中国NAND Flash产能！豪砸70亿美元增设产线
  

全球NAND型快闪记忆体(Flash Memory)龙头厂三星电子7月4日曾表明计划对中国NAND Flash工厂进行增产投资，但投资额未定。而三星中国NAND Flash投资额揭晓，要豪砸70亿美元在中国增设新产线。

韩联社报导，三星28日宣布，为了因应中长期NAND Flash需求增加，将对中国NAND Flash工厂进行大规模投资，计划在今后3年砸下70亿美元(约7,642亿日圆)进行增产投资。

韩联社指出，三星上述位于中国西安的NAND Flsah工厂于2014年完工，目前产能利用率达100%，而三星计划在该座工厂增设新产线，以藉此因应中国这块全球最大NAND Flsah市场的需求。

三星于7月4日宣布，至2021年为止，要对位于平泽市的NAND型快闪记忆体厂房投入14.4兆韩圜，并对华城市新建的半导体生产线投入6兆韩圜，且位于中国西安的NAND生产基地也会多盖一条生产线，但投资金额和时间表还未定。

根据嘉实XQ全球赢家系统报价，三星28日重挫1.96%，收2,305,000韩圜，连续第2个交易日走跌，创2周来(8月14日以来)收盘新低水准。

IC Insights 7月18日新闻稿称，记忆体以往市况显示，过度投资常会造成产能过剩、削弱价格。未来几年三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝/SanDisk、武汉新芯(XMC)/长江存储(Yangtze River Storage)都大举提高3D NAND flash产能，未来可能还有中国新业者加入战场，3D NAND flash产能过多的可能性“非常高”(very high)。

东芝8月3日宣布，关于目前已在四日市工厂厂区内兴建的3D NAND专用厂房“第6厂房”投资案，因记忆体需求扩大，故投资金额将从原先规划的1,800亿日圆加码至约1,950亿日圆。东芝指出，计划在2018年度将3D架构产品的产量比重提高至约90%。

东芝上述投资额除将用于导入“第6厂房”第1期工程所需的生产设备之外，也将用于第2期工程的厂房兴建。“第6厂房”第1期工程预计于2018年夏天完工，第2期工程厂房预计于2017年9月动工、2018年年末完工。关于具体的产能、生产计划，将于今后视市场动向决定。

日刊工业新闻8月7日报导，为了提高3D架构的NAND Flash产能、以因应三星电子等竞争对手加快扩产脚步，东芝将进一步祭出增产投资，计划在日本岩手县北上市兴建新工厂，该座新厂预计于2018年度动工、2021年度启用，总投资额将达1兆日圆的规模。东芝目前已在四日市工厂厂区内兴建3D NAND专用厂房“第6厂房”。

该座3D NAND新工厂兴建计划由东芝半导体事业子公司“东芝记忆体(Toshiba Memory Corporation、以下简称TMC)”负责策画，而东芝是在说明上述新厂兴建计划后才进行TMC的招标作业，因此即便之后TMC易主、预估新厂兴建计划仍将持续。