三星$70亿扩大中国NAND产能

三星砸2111亿 扩产NAND Flash

全球记忆晶片龙头南韩三星电子（SAMSUNG）未来3年规划投资约70亿美元（约2111亿元台币），扩大中国西安厂NAND Flash（储存型快闪记忆体）产能，以因应中长期需求持续看涨；申报资料显示，三星周一已批准其中1笔23亿美元初期投资支出。

扩大中国西安厂

三星在申报文件中表示：“这笔投资的目标是为了满足NAND Flash产品在中长期持续成长的需求。”但三星不愿透露西安厂产能可望因此提高多少。
三星7月初宣布将在南韩投资至少21.4兆韩元（约6216.7亿元台币），用以扩增记忆晶片与新一代手机面板产能，当时已表示计划增设西安厂产线，惟未决定投资金额。
关于21.4兆韩元用途规划，包括在2021年前在南韩平泽市的新NAND厂投资14.4兆韩元（约4183亿元台币）。这代表三星未来5年共将砸下近6300亿元台币庞大金额，打造全球最大记忆晶片帝国，可望把海力士、东芝半导体与威腾电子等对手都抛在脑后。
市场研究机构IHS最新统计数据显示，第2季三星全球NAND Flash市占率高达38.3%。
NAND记忆晶片用于智慧手机、记忆卡、随身碟到连网家电等几乎所有电子装置，且除了NAND，三星同时也是全球最大DRAM（动态随机存取记忆体）制造商。
随着记忆晶片需求水涨船高，三星第2季营业利益再创新高，三星已预期这股趋势本季可望持续。

Samsung欲投70亿美元扩大中国NAND闪存芯片产能

　　得益于对全产业链核心元器件生产与研发的掌控，以及近来DRAM、NAND闪存元器件的大涨价，SamsungQ2营收548亿美元、净利润达97亿美元，弥补了移动业务的不足，并预计Q3将延续这一趋势。现在Samsung又计划，未来三年将投资70亿美元，扩大中国西安工厂的NAND闪存芯片产能。

　　据外媒报导，Samsung在一份监管文件中称，在这70亿美元预期投资中，已有23亿美元在周一获得了管理委员会的批准。

　　Samsung表示，这笔投资将由位于西安的子公司Samsung(中国)半导体有限公司实施。“这笔投资旨在满足中长期日益增长的NAND闪存芯片需求。”

Samsung欲投70亿美元扩大中国NAND闪存芯片产能

　　值得一提的是，今年7月Samsung宣布在韩国投资186亿美元时，还表示将在西安的NAND闪存芯片工厂增加一条产品线，但没有指明投资金额。不知此次的70亿美元是否包括新增一条产品线的经费。

　　IHS最新数据显示，2017年第二季度，Samsung占据了全球NAND闪存芯片营收的38.3%。尽管国产NAND闪存正在加大投资力度，但真正成熟并与Samsung等主要品牌竞争还需要一段时间。