三星狂扫全球矽晶圆产能

三星3D NAND、DRAM、7奈米制程大扩产，狂扫全球矽晶圆产能

2017年三星电子(Samsung Electronics)同步启动DRAM、3D NAND及晶圆代工扩产计划，预计资本支出上看150亿～220亿美元，远超过台积电100亿美元和英特尔(Intel)120亿美元规模，三星为确保新产能如期开出，近期传出已与多家矽晶圆供应商洽谈签长约，狂扫全球矽晶圆产能，并传出环球晶已通知客户自2018年起矽晶圆供应量将减少30%，主要便是为支援三星产能需求作准备。

    三星为因应DRAM和3D NAND市场强劲需求，加上在逻辑事业全力投入7奈米制程，企图与台积电一较长短，抢回苹果(Apple)处理器晶片订单，三星2017年资本支出估计高达150亿～220亿美元，且上半年资本支出已达110亿美元，较2016年同期成长3倍。