3D NAND未来市场有风险

3D NAND资本支出竞飙　未来市场需求有风险

 IC Insights调查上调今年半导体资本支，预估今年增20%达809亿美元，以次产业来看，晶圆资本支出占整体产业比28%、NAND flash占比达24%、DRAM/SRAM比重也有16%，但大举增加Flash memory资本支出。未来3D NAND市场恐有风险。IC Insights指出，DRAM价格自去年第3季持续走扬，DRAM厂商也加大资本支出，不过，像海力士近期也承认，满足市场需求已不能只单靠技术，需要从晶圆端产能开始。 虽然今年DRAM需求看增，但以今年资本支出来看，Flash memory仍会高于DRAM/SRAM。且今年Flash memory资本支出均会用在3D NAND，三星在平泽的新建的晶圆厂即是。IC Insights说明，Flash memory资本支出继去年年增23%后，今年将继续成长达33%。但以过去历史经验来看，过多的资本支出将导致产能过剩，以及价格走疲。 随着三星、海力士、美光、英特尔、东芝/ SanDisk、武汉新芯 /长江存储等，都计划在未来几年内大幅提升3D NAND产能IC Insights认为，未来面临3DNAND市场风险恐有疑虑。