Flash短缺将持续到2018年

NAND Flash短缺将持续到2018年

原本市场预计2016年开始的NAND Flash短缺现象顶多延续到2017年中，但由于供应端产量未提升之下，预计短缺现象会持续到到2018年。

据All About Circuits报导，加剧NAND Flash短缺的主要原因是3D NAND Flash产量意外的低，加上行动手机需求不断提升，近期又缺少其他实质替代品。虽然业界担心供应端若对市场过度反应，满足市场需求恐将造成市场饱和，但报导认为，供大于求的现象短期内不会发生。

行动手机、手持装置和电脑记忆体等消费性产品仍然仰赖传统NAND Flash。不过NAND Flash主要供应商如三星(Samsung)，已将重点转向生产比传统产品密度更大速度更快的3D NAND Flash。东芝(Toshiba)记忆体业务部资深副总裁认为3D NAND Flash最大优势就在于具备高密度与低能量消耗。

虽然3D堆叠方式可提升密度40%，但由于结构和制程更加复杂，因此制造成本仍然很高，提升产量难度也会增加，这就是为什么3D NAND Flash还没有取代传统NAND Flash，以及市场供应端持续短缺的原因。

尽管如此，东芝公布TR200系列消费性3D NAND SSD，预计于2017年秋季推出，这将是市场上使用新记忆体技术的第一个SSD。

记忆体缺货已经影响产业面，联想公布2017年第1季亏损7,200万美元，与2016年同期的1.7亿美元利润大相径庭，这是联想2年来首度出现季亏损情况，部分归因于零组件成本上升，特别是记忆体成本，财报公布后联想股价下跌5%。

其他受影响的产品还包括任天堂(Nintendo)游戏主机Switch。此外，市场对苹果(Apple)即将推出的iPhone 8和三星旗舰机种Note 8的需求增加，会进一步对记忆体市场施加压力。市场预期供应端将在2018年中期赶上需求，价格预计会继续上涨，然后持稳，最快到2019年初价格才会开始下滑。