厚翼跻身 MRAM/RRAM 市场

厚翼科技 跻身 MRAM ／ RRAM 市场

随着数据资料产生速度不断地加快以及标准型记忆体制程微缩已逼近极限，全球半导体三大巨擘均正积极发展新世代记忆体“MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式随机存取记忆体）”与RRAM（Resistive random-access memory，可变电阻式记忆体）”。台湾唯一深耕于开发记忆体测试与修复技术的厚翼科技（简称HOY）产品“记忆体测试电路开发环境-BRAINS”针对MRAM和RRAM记忆体的行为及特性，开发出相对的测试演算法，可以有效测出写入干扰错误。

 新世代记忆体中MRAM寿命长、面积小、反应速度快，被认为很有可能取代DRAM和SRAM的新世代记忆体；而RRAM面积小、反应速度也快，被认为最有可能取代Flash的硬碟技术。在制程逼近极限的状况下，这两种新世代记忆体皆具有非挥发性记忆体技术，且兼具高效能及低耗电之特性，并符合AI人工智慧、高阶智慧型手机、物联网和无人车等许多高阶应用对高速演算的需求。

厚翼科技“记忆体测试电路开发环境-BRAINS”针对MRAM和RRAM特性开发出相对之测试演算法供使用者选择，增强对于MRAM/RRAM的测试，并完善使用者自定义演算法（Programmable Algorithm）的功能，一来强化了使用上的弹性，二来也让使用者能藉由自定义连续Write动作来设计更适合自己所使用的MRAM/RRAM规格的演算法。厚翼科技一直以来除了不断的创新与增强产品功能以及即时的客户支持，现更成功跻身MRAM/RRAMM市场，领导业界迈入AI产业。