DRAM 18年供需吃紧不变

2018年NAND跌价10~20%　DRAM有变数

DRAM于2018年供需吃紧的态势不变，价格也同步看涨，不过随着三星平泽厂正式量产将为第4季投下变数，届时对供需与价格都将带来负面影响。至于NAND转趋下跌，2018年上半年将面临淡季效应，全年平均单位价格预估将下跌10~20%。
 
预估2018年DRAM的位元成长与需求成长相当，均在20%附近，其中手机用行动式记忆体需求将成长14%，伺服器记忆体也会成长，要观察后续的拉货力道，整体而言，2018年上半年，DRAM供需依旧吃紧，合约价也将持续上扬，第3季将价格呈现持平，第4季面临到三星平泽新厂产能加入量产，将为供需局面带来变数。
 
三星在DRAM市场的霸主地位不会变，即使新产能加入，但相信三星不会让市场再度出现严重的供过于求、陷入价格崩盘的局面，只是会让其他的供应商获利变得比较少。
 
另外DRAM制程难度越来越高，明年主流制程仍会以1X为主，接下来的微缩技术将面临严苛的瓶颈，这也代表着，未来DRAM厂要藉由微缩技术大幅增加产能的难度大幅提高。
 
就NAND Flash观察，2018年上半年受到淡季效应的影响，需求走弱，市场届时将面临小幅供过于求的情况，NAND Flash价格有机会走跌。下半年在需求回升，与NAND Flash原厂稳健扩充产能下，可能再次呈现供不应求的局面，价格跌势也将停止。预估2018年NAND Flash ASP将较2017年衰退10%~20%。
 
预估随着3D NAND Flash产能大幅扩增，2018年NAND Flash位元成长幅度将达到40%，需求也同步成长40%。