WD：已交付96层3D Nand

WD会议：已交付96层3D快闪记忆体产品，2D转3D过程很繁琐   

前两天WD召开了一个会议，主要讨论关于与东芝合作的各项协议细则，而WD在会议上还报告了BiCS 3和BiCS 4 3D NAND快闪记忆体的生产状况。之前西部资料制定过一个目标，希望今年采用BiCS 3技术生产的64层3D NAND快闪记忆体能占到3D NAND快闪记忆体产量的75%，不过现在这个数字有望能提升到90%以上。另一组资料显示，WD的快闪记忆体类型还没完全从2D NAND转换成3D NAND，现在3D NAND快闪记忆体只占总产量的65%，换言之WD生产的所有快闪记忆体种还有三分之一是2D NAND快闪记忆体。

另外，在本月12号，WD宣布采用BiCS4技术的96层3D NAND快闪记忆体已经出货给零售商，早在6月底时我们已经了解到WD的BiCS 4快闪记忆体不仅会有TLC类型，而且会有QLC。使用BiCS 4技术的TLC快闪记忆体晶片和采用BiCS 3的TLC快闪记忆体晶片没任何区别，均包含256Gb和512Gb两种规格，但是采用BiCS 4技术的QLC的存储晶片还可以有768Gb甚至1Tb这两种规格。

同时WD在他们的PPT中表示从2D NAND工艺转向3D NAND工艺过程非常繁琐，他们也认为这个计划的执行时间比原定时间延迟了大约6个月，不过从2D快闪记忆体彻底转向3D快闪记忆体的持续过程不会用太长时间。在现在2D转3D的潮流中，有些制造商已经将用于生产2D NAND的设备升级成生产DRAM的设备，而不是升级成生产3D NAND的设备，不知道WD会不会借鉴这种思路。