ISSI 推512Mb SPI NOR

ISSI车用与工业 推512Mb SPI NOR快闪记忆体

先进记忆体与类比IC解决方案领导厂商ISSI，宣布开始进行车用等级512Mb容量的SPI NOR快闪记忆体的送样与试产作业。ISSI的SPI NOR快闪记忆体能支援-40℃至125℃的大范围工作温度，使其成为下一代车用电子、工业和物联网(IoT)应用最理想的选择。512Mb SPI NOR装置通过AEC-Q100认证标准，并符合生产性零组件核准程序(PPAP)准备量产。随着此产品的正式发布，ISSI的SPI NOR系列产品的储存密度也从256Kb扩大至512Mb，目前512Mb的SPI NOR快闪记忆体提供多种封装规格，包括16脚位300mil SOIC、WSON(8x6mm)、24球的TFBGA(6x8mm)，以及良品裸晶(KGD)等选项。ISSI也正进一步研究整合SPI NOR快闪记忆体和DRAM产品线的多晶片封装(MCP)的产品。

ISSI车用电子业务部副总裁Lyn Zastrow表示：“SPI NOR快闪记忆体几乎遍布所有车载应用。此次新产品开拓了新的储存密度规格，有助ISSI抢攻最新高阶的ADAS、车载资通讯系统和数位座舱(Digital Cockpit)等应用市场。和竞争对手相比，ISSI的优势在于我们的SPI NOR快闪记忆体解决方案涵盖由低到高的超大范围储存密度。我们将持续努力，充实各种技术规格的产品组合。”

ISSI行销总监Anand Bagchi也指出：“ISSI车用等级SPI NOR快闪记忆体能支援艰困环境下的各种应用，举例来说，在工作温度高低范围差异大的环境中，就更需要能长期运作的可靠系统。512Mb SPI NOR快闪记忆体的推出强化了我们的NOR快闪记忆体产品线，为客户提供他们一直梦寐以求的既可靠又具备高储存密度的SPI NOR快闪记忆体的选择。”

除了SPI NOR快闪记忆体以外，ISSI亦推出多种DRAM产品，包括SDR、DDR2、DDR3和行动SDR、LPDDR、LPDDR2记忆体，还有储存密度从64Kb到72Mb的非同步与同步SRAM完整产品线；再者，SPI NAND与平行NAND快闪记忆体的广泛产品组合也普受青睐，其中eMMC产品亦包含在内。特别值得一提，ISSI的产品组合内还包括一系列良品裸晶(KGD)记忆体。