未来5年是大陆DRAM发展关键

陆记忆体3大阵营成形，未来3~5年是关键

中国布局记忆体领域，晋华电子、合肥睿力与紫光集团三大阵营成形；以目前现况来看，中国发展记忆体的策略能否成功，未来的3~5年将是极其重要的关键期，特别是强化IP的布局。

中国半导体发展风起云涌，在市场、国安等考量下，记忆体成为重点发展项目。随着中国挟带着庞大的资金与地方政府的资源进军半导体中的记忆体领域，中国包含晋华电子、合肥睿力与紫光集团在内的三大阵营已成形。

中国记忆体产业的发展，尽管早期如紫光集团与美光洽谈技术合作无疾而终，或是并购技术母厂多失败收场，但中国积极吸收专业人才，无论是台湾地区的建厂人才，或是日韩的技术人才，并且从技术授权转为自主研发，处处可见中国进军记忆体的强烈决心。

从记忆体中的DRAM产业来看，中国在发展记忆体领域中的策略并非杂乱无章。以技术布局观察，中国DRAM领域中除了绘图用记忆体未有厂商布局，其他都有厂商按照计划发展中。

中国DRAM产业目前已有晋华电子、合肥睿力两大阵营。晋华电子专注利基型记忆体的开发，主攻消费型电子市场，有望凭藉着中国本有的庞大内需市场壮大自身产能，甚至在补贴政策下，预估最快2018年底可能将扰乱国际大厂在中国市场的销售策略，并且有机会取得技术IP走向国际市场。

相较于晋华电子避开国际大厂的主力产品，合肥睿力直捣国际大厂最核心的行动式记忆体产品。行动式记忆体已是记忆体类别中占比最高的产品，其省电技术要求极高，开发难度相当高。然而，中国品牌手机出货已占全球逾四成，倘若LPDDR4能顺利量产并配合补贴政策，中国政府进口取代的策略即可完成部分阶段性任务。

中国在NAND Flash领域的发展上，以紫光集团旗下的长江存储为中国最快成军的开发厂商，初期也将以中国内需市场的布局为主。由于长江存储开发早期技术力不足，难以与一线大厂相抗衡，预计初期产品会以卡碟类为大宗。随着长江存储技术发展来到64/96层才有机会进军SSD市场，但此市场技术竞争相当激烈，没有中国政府的支持，短期难以在成本上取得优势，利用中国内需市场壮大自己将是紫光集团未来可行的策略。

武汉新芯则随着长江存储的成立后，将专注于NOR Flash的开发，虽然长江存储的NAND Flash试产线暂放在武汉新芯，但随着长江存储于武汉未来城基地建构完成后，未来也将各自独立。

以目前现况来看，中国发展记忆体的策略能否成功，未来的3~5年将是关键期，特别是强化IP的布局，中国以及厂商未来必须凭藉内需市场、优秀的开发能力，以及具国际水准的产能，取得与国际厂商最有利的谈判筹码，才有机会立足全球并占有一席之地。