记忆体占半导体资本支出估破五成，NAND供给过剩风险增

IC Insights估计，2018年全球半导体资本支出将来到1,020亿美元，为史上第一次突破千亿美元大关。

 对比2017年，今年半导体资本支出成长9%，对比2016年更是飙升38%。

 报告指出，今年DRAM/SRAM业的资本支出预估跳增41%至229亿美元，增幅为所有半导体产品之冠，占整体半导体业比重为22%。

 快闪记忆体资本支出继去年暴增82%后，今年预估增幅减缓至13%，但投资额311亿美元仍是半导体业最高，占整体半导体业比重的31%。

 报告显示，近六年来记忆体占半导体资本支出比重逐年增加，今年已冲破五成、来到53%，比2017年增加7个百分点，对比2013年的比重27%，则几乎翻了两倍。

 根据历史经验，资本支出水平过高往往造成供给过剩与价格走跌，IC Insights认为3D NAND快闪记忆体未来供过于求的机率很高，且风险还在持续上升之中。