美光扩产记忆体 台厂警戒​

美国记忆体大厂美光（Micron）昨（30）日宣布，将斥资30亿美元（约新台币921亿元），在美国维吉尼亚州马纳萨斯的工厂，同步扩充DRAM和储存型快闪记忆体（NAND Flash）。业界关注，美光此举对市场供需与价格的影响，牵动南亚科等台厂营运。

美光是全球前三大DRAM厂，也是前四大NAND晶片业者。市场忧心，美光此举将刺激三星、SK海力士也加速DRAM增产行动，打破三大阵营好不容易建立的DRAM供需平衡环境，不利DRAM价格走势。美光此举也等于宣示持续淡化NOR晶片布局、专注DRAM与NAND晶片布局的决心。

这是美光在台湾扩充及兴建DRAM产能和后段封测厂后，再次启动DRAM扩充计划，美国新扩建的无尘室预定明年第3季完成，2020年上半年量产。

这也证明全球六大NAND晶片厂间的军备竞赛仍未停止，虽然美光新增产能要到2020年上半年才会量产，但在市场预期心理压力，加上大陆紫光加快量产脚步，明年NAND Flash跌势恐加大。

美光总裁兼执行长Sanjay Mehrotra表示，随着工业自动化，无人机，物联网和汽车对记忆体应用扩大，为美光注入强大的获利能，不断增长的自由现金流入，让美光具备再增加记忆体产能的能力。

美光目前是维吉尼亚州最大投资者，美光决定再斥资30亿美元扩厂，也是响应美国川普总统鼓励企业回美国投资的重要布局。美光预计在未来十年，为当地提供1,100个工作机会。