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美光也增产,DRAM供给恐过热

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2018-09-03

记忆体大厂美光宣布将增产DRAM和NAND晶片,预计于2020年开出产能。这几年记忆体厂赚饱饱,包括韩商SK海力士等已宣布扩产,后续产能增加状况值得关注。

受到美光增产消息影响,南亚科(2408)今股价开低,回探70元以下。

记忆体大厂美光宣布,将斥资30亿美元,在美国维吉尼亚州扩建半导体厂。研调机构集邦科技旗下记忆体储存研究(DRAMeXchange) 认为,美光初期的扩厂规画将以DDR3或更早之前的产品为主,可能为20奈米以下的技术,对美光的供给位元成长或整体产业来说,不会有剧烈的影响,真正可能对产业带来重大冲击,是其他大厂2020年底完工的新厂执行状况。

后续值得观察的是,大厂三星半导体、SK海力士或是南亚科等供应商,都因对后续市况乐观,加上手上现金水位充足,纷纷提出建厂及扩产计划,这些新厂约在2020年底陆续完工,真正的产能新增状况,可能对产业产生较大的冲击。

美光是全球前三大DRAM厂,也是前四大NAND晶片业者。市场忧心,美光此举将刺激三星、SK海力士也加速DRAM增产行动,破坏DRAM供需平衡环境,不利DRAM价格走势。

美光同步增产DRAM和NAND晶片,恐不利DRAM和NAND价格走势,不过,下游记忆体模组厂认为,DRAM和NAND价格回档,反而有利应用端扩大需求。

短期来看,由于供给持续增加,需求则不见明显回温,因此第四季整体DRAM价格反转走弱的机会逐渐升高。展望2019年,在各厂商持续转进1X/1Y制程,以及SK海力士无锡新厂可望开始投片的影响下,供给位元成长将大于需求,预估整体DRAM价格将持续下滑,年衰退幅度约在15-25%。