提升 96 层 3D NAND Flash 产能 Toshiba、WD 日本四日市 Fab 6 正式开幕

Toshiba Memory Corporation 东芝记忆体公司与 Western Digital 今日共同于日本三重县四日市的 6 号晶圆厂 (Fab 6) 举行开幕仪式，该晶圆厂为新设先进半导体制造厂区，并设有记忆体研发中心 (Memory R&D Center)。

Toshiba 于 2017 年 2 月开始兴建 6 号晶圆厂，作为生产 3D NAND Flash ( 快闪记忆体 ) 的专用厂区。Toshiba 与 Western Digital 已针对沉积 (deposition) 与蚀刻 (etching) 等关键生产制程部署先进制造设备。新晶圆厂在本月初已开始量产 96 层 3D NAND Flash。

3D NAND Flash 在企业伺服器、数据中心及智能手机的需求不断增加，未来几年这些需求将持续扩大；为因应此市场趋势，可望进一步投资扩大产能。

与 6 号晶圆厂相毗邻的记忆体研发中心已于今年 3 月开始营运，负责研发并推动 3D NAND Flash 的发展工作。

东芝记忆体公司与 Western Digital 将持续推动并扩展双方在记忆体市场的领导地位，积极开发各项计划以强化竞争力，推动 3D NAND Flash 的共同开发，并根据市场趋势规划资本的投放。

东芝记忆体公司主席及行政总裁成毛康雄 (Yasuo Naruke) 表示：“我们很高兴有这个机会能为新一代的 3D NAND Flash 开拓更广阔的市场。6 号晶圆厂和记忆体研发中心能让我们在 3D NAND Flash 市场中维持领先地位，而且我们相信与 Western Digital 的合资事业，将协助四日市的工厂继续生产最先进的记忆体。”

Western Digital 行政总裁 Steve Milligan 同时指出：“今天很荣幸能与我们的重要合作伙伴东芝记忆体公司一起为 6 号晶圆厂和记忆体研发中心揭开序幕。近 20 年来我们合作无间，带动了 NAND Flash 技术的成长和创新。此外，我们正积极提升 96 层 3D NAND 产能，以因应从消费性、流动应用到云端数据中心等终端市场的各式商机 。6 号晶圆厂具备先进技术设备，将进一步提升我们在业界技术领先和成本领导的地位。”