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力晶推革命性架构AIM 抢攻AI/物联网等应用商机

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2019-12-04
 
力晶集团今(4)日宣布,正式推出结合旗下力积电、爱普(6531)、智成电子与智慧记忆科技等技术资源所发展而成的Computing in Memory技术平台,未来将积极抢攻AI、物联网与大数据云端伺服器等应用商机。此外,力晶集团也与国内学界合作,将Computing in Memory平台导入到无人驾驶必须的动态影像辨识暨分析领域。
力晶集团创办人黄崇仁表示,过去是在传统逻辑晶片里面设置嵌入式记忆体,而这次推出的Computing in Memory,其概念是在DRAM里面嵌入逻辑电路,系整合Processor等逻辑晶片、DRAM记忆体及Wireless等WiFi晶片的single chip。此新技术平台,系整合力晶集团旗下四家公司发展而成,包括力积电做代工,爱普设计记忆体,智成供应逻辑晶片,智慧记忆科技则以提供软体与系统为主。
黄崇仁进一步指出,Computing in Memory平台技术将微处理器嵌入记忆体构成的单晶片,于未来将可导入云端伺服器、边缘运算、物联网、自动驾驶、灵巧化AI机器人、自动化系统以及AI临床医疗检测等领域,期在5G商用浪潮中建立新的产业生态系和获利模式。
黄崇仁强调,此技术平台不用像目前主流技术,需要投入百亿美元进行制程微缩才能达成效益;藉由Computing in Memory平台,力积电用25-38奈米制程技术,便能达成7奈米的效益,亦不会有散热问题,具有成本优势。

爱普执行长陈文良提到,运用Computing in Memory的技术平台,可将资料传输频宽提升10倍到100倍,节能10到20倍,目前已有多家客户与爱普合作,针对人工智能学习等巨量记忆体相关运算需求设计新款晶片,预计明年第一季便可量产出货。
智成总经理黄振升表示,由于DRAM储存密度、存取速度和成本优于Flash和SRAM等其他记忆体,以该公司在1Gb DRAM中嵌入四颗ARM M10微处理器、1Gb DRAM中嵌入RISC-V微处理器完成的二个样品为例,已成功验证Computing in Memory平台技术在物联网市场中,能提供下游供应链厂商创造庞大的创新商机。