三星跳电害惨高通 联发科5G逆袭夺肥单？

南韩科技大厂三星电子（Samsung）位于华城（Hwaseong）的晶片厂2019 年 12 月 31 日下午发生跳电1分钟的情况，导致DRAM、NAND Flash，以及采用极紫外光(EUV)微影技术的系统半导体生产受到影响，据业内人士透露，这起事件恐怕让三星蒙受数百万美元损失。此外，美国行动处理器龙头高通(Qualcomm)才刚把5G处理器Snapdragon 765交由三星7奈米制程，如今发生这起意外，恐怕先急坏高通。

据韩联社报导，由于区域电缆发生问题导致短暂跳电，三星华城厂区的动态随机存取记忆体（DRAM）和储存型快闪记忆体（NAND Flash）晶片生产线停摆，当时正在运作的EUV制程半导体生产也受到影响。三星也在隔日(1月1日)发布声明表示，该公司正在检查生产线并准备复工，目前仍在统计损失程度，预计事件发生3天后就能复工。

由于DRAM、NAND三星拥有大量库存，虽市场回温，但不至于影响相关市场供给与价格。问题就在于，当时生产的任何晶圆都必须报废，据业内人士估计损失金额恐怕高达3000万美元(约9.12亿元新台币)。

高通（Qualcomm）去年12月3日峰会上发布将在2020年搭5G旗舰机处理器晶片Snapdragon 865，以及瞄准中阶手机市场的Snapdragon 765 以及 Snapdragon 765G两款系统单晶片（SoC），前面一款由台积电7奈米制程，后面两款由三星7奈米制程，如今发生跳电事件，三星这批在华城厂区生产晶圆全数报废，恐怕让高通急得跳脚。

据财讯报导，先前三星产能不足，就已经引发高通的客户不满，如今跳电事件爆发，恐让高通交付5G处理器给客户的时程延后，迫使客户转单给联发科的机率大增。

据businesskorea先前报导，三星打算利用EUV微影技术，在2030年超越台积电，计划10年内投入1160亿美元(约3.5兆元新台币)，不过，台积电也在今年第三季法说会上宣布上调年度资本支出至140~150亿美元(约4214~4515亿元新台币)，如今三星又频频出包，恐怕让10年超越台积电的目标遭严重打击。